课题基金 / 基金详情

遷移金属の新しい低温化学反応エッチングメカニズムの提案

遷移金属の新しい低温化学反応エッチングメカニズムの提案
提出一种新的过渡金属低温化学反应蚀刻机制
批准号:
15K04712
负责人:
久保田 智広
金额:
$3.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2017-03-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
有機分子(プリカーサー)と酸素・アルゴン中性粒子ビームを用いた遷移金属錯体生成による遷移金属エッチングプロセスのメカニズム解明のため、密度汎関数理論に基づく第一原理理論計算を行った。遷移金属としてタンタルを用いた場合、プリカーサーの酸性度とエッチングプロセスにおいて重要な反応と想定されている水素移動反応の活性化エネルギーにはきれいな相関があることがすでに分かっている。そこで、プリカーサーとしてエタノールおよび酢酸を用いた場合について、プリカーサーが吸着したタンタル酸化物表面にアルゴン中性粒子ビームを様々な入射角度及びエネルギーで照射するシミュレーションを行い、水素移動反応の起こりやすさに違いが生じるかどうかを調べた。その結果、より酸性度が高く水素移動反応が起こりやすい酢酸の場合において、より低エネルギーの入射で水素移動反応が起こることが分かった。さらに、入射角度についてもより広い範囲で水素移動反応が起こることが分かった。遷移金属として鉄を用いた場合の検討も行った。酸化鉄表面にプリカーサーが導入され、酸化鉄表面の鉄原子がエッチングされて錯体が形成し揮発する反応のエネルギー(反応熱)を計算した。その結果、プリカーサーとして酢酸を用いた場合は鉄原子1個あたり-2.0eVと大きな負の値(発熱反応)となった。一方、プリカーサーとしてエタノールを用いた場合は鉄原子1個あたり-0.7eVと小さな負の値となり、酢酸の場合よりも反応が起こりにくいと予想される結果となった。これは、酢酸を用いると鉄がエッチングされるがエタノールを用いた場合にはエッチングされないという実験結果と矛盾しない結果と言える。
英文摘要
有機分子(プリカーサー)と酸素・アルゴン中性粒子ビームを用いた遷移金属錯体生成による遷移金属エッチングプロセスのメカニズム解明のため、密度汎関数理論に基づく第一原理理論計算を行った。遷移金属としてタンタルを用いた場合、プリカーサーの酸性度とエッチングプロセスにおいて重要な反応と想定されている水素移動反応の活性化エネルギーにはきれいな相関があることがすでに分かっている。そこで、プリカーサーとしてエタノールおよび酢酸を用いた場合について、プリカーサーが吸着したタンタル酸化物表面にアルゴン中性粒子ビームを様々な入射角度及びエネルギーで照射するシミュレーションを行い、水素移動反応の起こりやすさに違いが生じるかどうかを調べた。その結果、より酸性度が高く水素移動反応が起こりやすい酢酸の場合において、より低エネルギーの入射で水素移動反応が起こることが分かった。さらに、入射角度についてもより広い範囲で水素移動反応が起こることが分かった。遷移金属として鉄を用いた場合の検討も行った。酸化鉄表面にプリカーサーが導入され、酸化鉄表面の鉄原子がエッチングされて錯体が形成し揮発する反応のエネルギー(反応熱)を計算した。その結果、プリカーサーとして酢酸を用いた場合は鉄原子1個あたり-2.0eVと大きな負の値(発熱反応)となった。一方、プリカーサーとしてエタノールを用いた場合は鉄原子1個あたり-0.7eVと小さな負の値となり、酢酸の場合よりも反応が起こりにくいと予想される結果となった。これは、酢酸を用いると鉄がエッチングされるがエタノールを用いた場合にはエッチングされないという実験結果と矛盾しない結果と言える。
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会议论文
Transition Metal Complex Reaction Etching with Neutral Beam and Its Mechanism Investigated by First-Principles Calculation
中性束过渡金属配合物反应刻蚀及其第一性原理计算机理研究
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [Tomohiro Kubota, Yoshiyuki Kikuchi, and Seiji Samukawa]
通讯作者: and Seiji Samukawa
中性粒子ビーム励起錯体反応を用いたCoFeBエッチング
使用中性粒子束激基复合物反应进行 CoFeB 蚀刻
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [久保田 智広, 美山 遼, 菊地 良幸, 寒川 誠二]
通讯作者: 寒川 誠二
中性粒子ビーム励起錯体反応を用いた遷移金属エッチングにおける吸着分子の影響
吸附分子对中性粒子束激基复合物反应过渡金属蚀刻的影响
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [久保田智広, 菊地良幸, 伊藤寿, 久保百司, 寒川誠二]
通讯作者: 寒川誠二
Transition Metal Complex Reaction Etching for MRAM Applications using Neutral Beam and Its Mechanism Investigated by First-Principles Calculation
利用中性束进行 MRAM 应用的过渡金属络合物反应蚀刻及其第一性原理计算研究机制
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [Tomohiro Kubota, Yoshiyuki Kikuchi, Toshihisa Nozawa, and Seiji Samukawa]
通讯作者: and Seiji Samukawa
共 9 条
    単電子デバイスのための積層量子ナノディスク構造の精密作製と量子特性制御
    • 批准号:
      20560288
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.08万
    • 财政年份:
      2008
    • 负责人:
      久保田 智広
    • 依托单位:
    単一サブ10nm微細構造のためのマルチ同時解析装置の開発
    • 批准号:
      18760049
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      久保田 智広
    • 依托单位:
    III-V族半導体を用いるショットキーデバイスの界面準位の光電子分光法による研究
    • 批准号:
      97J04891
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $0.58万
    • 财政年份:
      1998
    • 负责人:
      久保田 智広
    • 依托单位:
    海外基金