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Development of a bent silicon crystal for high-intensity proton-beam separation
开发用于高强度质子束分离的弯曲硅晶体
基本信息
- 批准号：26400302
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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Cross section measurements of 12C(alpha, gamma) reactions by means of an intense pulsed beam
通过强脉冲束测量 12C（α、γ）反应的横截面
- 批准号：
20244036 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)