Development of a bent silicon crystal for high-intensity proton-beam separation
Development of a bent silicon crystal for high-intensity proton-beam separation
开发用于高强度质子束分离的弯曲硅晶体
批准号：
26400302
负责人：
Sawada Shinya
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
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