Analysis of lattice strain and controlling of interfacial characteristics in heterostructured-nanowires by synchrotron X-rays
Analysis of lattice strain and controlling of interfacial characteristics in heterostructured-nanowires by synchrotron X-rays
同步加速器 X 射线异质结构纳米线晶格应变分析和界面特性控制
批准号：
26790020
负责人：
Sasaki Takuo
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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その場放射光X線回折によるIII-Vエピ成長のひずみ解析
使用原位同步加速器 X 射线衍射进行 III-V 族外延生长的应变分析
使用原位同步加速器 X 射线衍射进行 III-V 族外延生长的应变分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
日本結晶成長学会誌
影响因子：
--
作者：
[佐々木 拓生, 高橋 正光]
通讯作者：
高橋 正光
Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
用于原位同步加速器 X 射线测量的氮化物 MBE 系统
用于原位同步加速器 X 射线测量的氮化物 MBE 系统
DOI：
10.7567/jjap.55.05fb05
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Tomohiro Yamaguchi, and Masamitu Takahasi]
通讯作者：
and Masamitu Takahasi
DOI：
10.1021/acs.cgd.5b00915
发表时间：
2015-09
期刊：
Crystal Growth & Design
影响因子：
3.8
作者：
[M. Takahasi;M. Kozu;T. Sasaki;Wen Hu]
通讯作者：
M. Takahasi;M. Kozu;T. Sasaki;Wen Hu
In situ X-ray diffraction study on the influence of growth conditions on polytypes in gold-catalyzed GaAs nanowires
原位X射线衍射研究生长条件对金催化GaAs纳米线多型体的影响
原位X射线衍射研究生长条件对金催化GaAs纳米线多型体的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Masamitu Takahasi, Miwa Kozu, and Takuo Sasaki]
通讯作者：
and Takuo Sasaki
Au触媒GaAsナノワイヤの構造多形メカニズム
Au催化GaAs纳米线的结构多态性机制
Au催化GaAs纳米线的结构多态性机制
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐々木 拓生, 出来 亮太, 高橋 正光]
通讯作者：
高橋 正光
共 10 条
Development of dislocation propagation tracking method in nitride semiconductors by synchrotron micro-beam X-rays
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批准号：16K17522
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2016
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负责人：Sasaki Takuo
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依托单位：
海外基金