Development of dislocation propagation tracking method in nitride semiconductors by synchrotron micro-beam X-rays
Development of dislocation propagation tracking method in nitride semiconductors by synchrotron micro-beam X-rays
同步加速器微束X射线氮化物半导体位错传播跟踪方法的发展
批准号：
16K17522
负责人：
Sasaki Takuo
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察
使用原位 X 射线衍射观察氮化物半导体薄膜中的晶体生长
使用原位 X 射线衍射观察氮化物半导体薄膜中的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
SPring-8/SACLA利用者情報
影响因子：
--
作者：
[佐々木 拓生, 高橋 正光]
通讯作者：
高橋 正光
GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察
观察 GaN 和 InN 上 GaInN 生长的初始生长过程
观察 GaN 和 InN 上 GaInN 生长的初始生长过程
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上田 悠貴, 山田 純平, 藤原 亨介, 山本 大地, 丸山 隆浩, 成塚 重弥, 山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之]
通讯作者：
山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
用于原位同步加速器 X 射线测量的氮化物 MBE 系统
用于原位同步加速器 X 射线测量的氮化物 MBE 系统
DOI：
10.7567/jjap.55.05fb05
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Takuo Sasaki, Fumitaro Ishikawa, Tomohiro Yamaguchi, and Masamitu Takahasi]
通讯作者：
and Masamitu Takahasi
窒化ガリウム結晶成長表面のCTR散乱測定
氮化镓晶体生长表面的CTR散射测量
氮化镓晶体生长表面的CTR散射测量
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐々木 拓生, 高橋 正光]
通讯作者：
高橋 正光
MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制
MBE 生长的 GaN 纳米线中黄色发光的抑制
MBE 生长的 GaN 纳米线中黄色发光的抑制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上杉 智洋, 佐々木 拓生, 高橋 正光]
通讯作者：
高橋 正光
共 14 条
Analysis of lattice strain and controlling of interfacial characteristics in heterostructured-nanowires by synchrotron X-rays
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批准号：26790020
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
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负责人：Sasaki Takuo
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依托单位：
海外基金