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Development of dislocation propagation tracking method in nitride semiconductors by synchrotron micro-beam X-rays
同步加速器微束X射线氮化物半导体位错传播跟踪方法的发展
基本信息
- 批准号：16K17522
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（16）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察
使用原位 X 射线衍射观察氮化物半导体薄膜中的晶体生长
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐々木 拓生; 高橋 正光
- 通讯作者：高橋 正光
GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察
观察 GaN 和 InN 上 GaInN 生长的初始生长过程
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上田 悠貴;山田 純平;藤原 亨介;山本 大地;丸山 隆浩;成塚 重弥;山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
- 通讯作者：山口智広,佐々木拓生,高橋正光,尾沼猛儀,本田徹,荒木努,名西やす之
Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
用于原位同步加速器 X 射线测量的氮化物 MBE 系统
- DOI：10.7567/jjap.55.05fb05
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Takuo Sasaki;Fumitaro Ishikawa;Tomohiro Yamaguchi;and Masamitu Takahasi
- 通讯作者：and Masamitu Takahasi
MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制
MBE 生长的 GaN 纳米线中黄色发光的抑制
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上杉 智洋; 佐々木 拓生; 高橋 正光
- 通讯作者：高橋 正光
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- 作者：
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Sasaki Takuo其他文献
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量
- DOI：
10.3390/cryst9120631 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：2.7
- 作者：
Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi - 通讯作者：
Nanishi Yasushi
PHASED ARRAY ANTENNA FOR MOBILE SATELLITE COMMUNICATION
用于移动卫星通信的相控阵天线
- DOI：
10.2514/6.2003-2405 - 发表时间：
2003 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Numazaki Tadashi;U. Hiroyuki;Sasaki Takuo;Tanaka Hiroshi;Honma Naoki;Yoshida Tomihiko - 通讯作者：
Yoshida Tomihiko
Sasaki Takuo的其他文献
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Analysis of lattice strain and controlling of interfacial characteristics in heterostructured-nanowires by synchrotron X-rays
同步加速器 X 射线异质结构纳米线晶格应变分析和界面特性控制
- 批准号：
26790020 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号：
23K21082 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体発光層の複層化による室温での電界駆動超高速偏光変調の実現
多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
- 批准号：
24KJ0297 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
- 批准号：
23K26572 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
- 批准号：
24H00425 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
- 批准号：
24K00913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)