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2D動的フリーフォームプラズマ生成のためのプラズマプロパゲーション制御

2D動的フリーフォームプラズマ生成のためのプラズマプロパゲーション制御
二维动态自由等离子体生成的等离子体传播控制
批准号:
22K18759
负责人:
佐野 泰久
金额:
$3.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-06-30 至 2025-03-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
情報通信産業において不可欠な高精度基板材料の厚さ均一化技術として、プロジェクタで励起光が投影されている部分の基板表面にのみプラズマを生成させ、基板各場所のエッチング量を各場所の投光時間で制御する全く新しい発想に基づく数値制御プラズマエッチング法を提案している。この方法の実現には、励起光が照射されていない場所へプラズマが広がる前に高周波電源の出力を一旦オフにすることが要となるため、基礎研究としてプラズマが横方向へと広がる速度を把握し、プラズマの広がり方を制御することを本研究の目的としている。初年度は、研究実施計画通りに長い平行平板電極を有する基礎実験装置の構築を進めたが、プラズマ発生試験において平行平板電極全面に均一なプラズマを生成させることが困難であることが分かった。これは、平行平板電極のわずかな傾斜等によって生じる平行平板間隔の不均一性によって電界強度が不均一性になったためと考えられる。そこで、平行平板電極ではなく、極細ワイヤー電極を用いることを検討した。極細ワイヤー電極を用いた場合はその形状による電界集中によって高電界強度が得られるため、対向電極を近くに配置しなくてもプラズマが生成可能になる。既存のプラズマ発生用チャンバーを用い、雰囲気ガスをヘリウム1気圧とし、直径50μmのワイヤーに高周波電力を印加することで、約200mmの長さにおいて一様なプラズマが生成可能なことが分かり、プラズマプロパゲーション評価実験のためのプラズマ発生部の準備が整った。
英文摘要
情報通信産業において不可欠な高精度基板材料の厚さ均一化技術として、プロジェクタで励起光が投影されている部分の基板表面にのみプラズマを生成させ、基板各場所のエッチング量を各場所の投光時間で制御する全く新しい発想に基づく数値制御プラズマエッチング法を提案している。この方法の実現には、励起光が照射されていない場所へプラズマが広がる前に高周波電源の出力を一旦オフにすることが要となるため、基礎研究としてプラズマが横方向へと広がる速度を把握し、プラズマの広がり方を制御することを本研究の目的としている。初年度は、研究実施計画通りに長い平行平板電極を有する基礎実験装置の構築を進めたが、プラズマ発生試験において平行平板電極全面に均一なプラズマを生成させることが困難であることが分かった。これは、平行平板電極のわずかな傾斜等によって生じる平行平板間隔の不均一性によって電界強度が不均一性になったためと考えられる。そこで、平行平板電極ではなく、極細ワイヤー電極を用いることを検討した。極細ワイヤー電極を用いた場合はその形状による電界集中によって高電界強度が得られるため、対向電極を近くに配置しなくてもプラズマが生成可能になる。既存のプラズマ発生用チャンバーを用い、雰囲気ガスをヘリウム1気圧とし、直径50μmのワイヤーに高周波電力を印加することで、約200mmの長さにおいて一様なプラズマが生成可能なことが分かり、プラズマプロパゲーション評価実験のためのプラズマ発生部の準備が整った。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化による超精密加工
  • 批准号:
    19656040
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.05万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    佐野 泰久
  • 依托单位:
ナノデバイス用基板としての超薄膜SOIウエハの開発
  • 批准号:
    14655059
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.73万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    佐野 泰久
  • 依托单位:
大気圧プラズマエッチングを利用した非接触無歪切断加工
  • 批准号:
    13750098
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    佐野 泰久
  • 依托单位:
ラジカセ反応を利用したセラミックス材料形状加工装置の開発-数値制御形状加工システムの試作-
  • 批准号:
    07750144
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    佐野 泰久
  • 依托单位: