Development of a spin pressure detection probe and real space spin mapping method

自旋压力检测探针和实空间自旋映射方法的开发

• 批准号: 22K18934
• 负责人: 保原 麗
• 金额: $ 4.08万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-06-30 至 2025-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K18934/
• 关键词: グラフェン; スピン; SPM; プローブ; SiC

本研究では、グラフェンの高い強度・長いスピン拡散長といった特性と、強磁性体と常磁性体に発生する電圧がスピン圧に比例する現象を利用し、スピン圧を測定できる、頑強な直接接触型のプローブを開発することを目指している。本年度はSiC熱分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長プロセスを確立した。グラフェンはスピン伝達経路及び接触部分に用いる予定のため、均質で高品位に製膜する必要がある。SiCの熱分解法では、通電やマイクロ波加熱等を用いることが多いが、本研究では均質な製膜のために傍熱型の加熱装置を製作し、高品質なグラフェンの安定的な製膜に成功した。

这项研究旨在开发可强大的直接接触型探针，该探针可以通过利用石墨烯的特性（例如高强度和长自旋扩散长度）来测量自旋压力，以及在铁磁和顺磁物质中产生的电压与自旋压力成比例的现象。今年，我们使用SIC热解建立了石墨烯的外延生长过程。由于石墨烯旨在在自旋传输路径和接触区域中使用，因此有必要形成均质和高质量的膜。在SIC的热分解方法中，经常使用电流和微波加热，但是在这项研究中，制造了用于均匀膜形成的热型加热装置，并实现了高质量石墨烯的稳定膜形成。