Development of a spin pressure detection probe and real space spin mapping method

自旋压力检测探针和实空间自旋映射方法的开发

• 批准号: 22K18934
• 负责人: 保原 麗
• 金额: $ 4.08万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-06-30 至 2025-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K18934/
• 关键词: グラフェン; スピン; SPM; プローブ; SiC

本研究では、グラフェンの高い強度・長いスピン拡散長といった特性と、強磁性体と常磁性体に発生する電圧がスピン圧に比例する現象を利用し、スピン圧を測定できる、頑強な直接接触型のプローブを開発することを目指している。本年度はSiC熱分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長プロセスを確立した。グラフェンはスピン伝達経路及び接触部分に用いる予定のため、均質で高品位に製膜する必要がある。SiCの熱分解法では、通電やマイクロ波加熱等を用いることが多いが、本研究では均質な製膜のために傍熱型の加熱装置を製作し、高品質なグラフェンの安定的な製膜に成功した。

This study aims to explore the utilization of the phenomenon of high intensity, high dispersion, high voltage ratio generated by ferromagnetic and nonmagnetic materials, measurement of high voltage, and development of strong direct contact type. This year, the SiC thermal decomposition method was established. For example, it is necessary to prepare films with high quality and uniformity in the contact part of the circuit. SiC thermal decomposition method is used in many ways, such as electric current, microwave heating, etc. In this study, homogeneous film preparation and thermal heating device are successfully manufactured, and stable film preparation with high quality is achieved.