权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

テラヘルツ強度干渉計による画像合成のためのSIS光子計数型検出器の開発

使用太赫兹强度干涉仪开发用于图像合成的 SIS 光子计数型探测器

基本信息

批准号：
22KJ0419
负责人：
丹羽綾子
金额：
$ 1.6万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-03-08 至 2025-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

1.5 THz光子検出器製作用のフォトマスクの設計と、検出器評価のための測定環境の構築を行った。フォトマスクの設計は昨年度にも行ったが、SISの三層構造（ベース）を接合部分以外残さないようエッチング領域の各辺を1μmずつ広く確保したところ、実際に検出器を製作するとベース外側の配線までエッチングされてしまい、SIS接合が電気的に孤立してしまうという問題が生じた。事前のエッチングレート測定では配線のアルミニウム薄膜は三層よりも4倍程度レートが遅く、三層エッチング後にも配線は残ると考えていたが、実際には配線が残らなかった。この原因としては想定よりもアルミニウムの膜厚が薄かったことやエッチング時の負荷電力がレート測定時よりも大きかったことが考えられるが、原因の特定には至っていない。上記を踏まえ、今年度は過去に他のグループによって成功例のあるフォトマスクデザインを採用し、まずは確実に検出器として動作する設計を目指した。一方実験室ではテラヘルツ強度干渉計の実験室実験に向けたクライオスタットの組み上げが進行中であり、現在製作中である1.5 THz光子検出器の0.8 KでのIV特性や光学特性の評価も同環境で行う予定である。最終的な強度干渉計実験には高速読み出しが求められるため、2段のGaAs-JFETとHEMTアンプを用いてメガオームレベルの高い出力インピーダンスの低減を図るが、今年度はまず低周波での読み出しの成功を目的として1段のGaAs-JFETとオペアンプによる読み出し回路の製作を行った。その結果、0.8 Kで既存の検出器(Ezawa et al., 2019)のIV特性が測定でき、バイアス電圧600 μVにて雑音を3 nAまで低減することができた。この値は実験室において光学特性の評価を行うのには十分な値である。今後、1 pA以下までのさらなる低雑音化を進めていく予定である。

The 1.5 THz photon exchanger acts as a device for measuring the environmental impact of environmental pollution. Last year, the equipment and equipment of the equipment and equipment were installed and manufactured. Outside the joint part of the SIS equipment, the residual equipment in the field of equipment and equipment was used to ensure the safety of the equipment. The international equipment was used to ensure the safety of the equipment, the equipment of the foreign equipment, the equipment of the equipment, and the isolated equipment of the SIS connection machine. In advance, you need to determine the performance of the wiring system. The film is four times as high as it is, and the residual power of the wiring system is four times as high as that of the film. The reason is that it is necessary to determine the thickness of the film, the thickness of the film, the temperature of the film, the thickness of the film, the thickness of the film, the temperature, the temperature and the temperature. In the last two years, we have reviewed the success stories of the previous year and this year. We need to make sure that you are using the computer and making sure that the device is activated to set the target. One side of the room is designed to measure the strength of the equipment. The system is in progress. The 1.5 THz photon generator is currently in operation. The optical properties of the device are 0.8K. The optical properties of the device are subject to the same environmental requirements. The most important part of this year is the calculation of the strength and the performance of the high speed, and the two sections of the GaAs-JFET HEMT circuit show that the output is high, the output is low, and this year's low cycle is successful. The purpose of this year is to make a success in the first paragraph, the GaAs-JFET in the first paragraph, the circuit in the loop, the line in the loop. The result of the experiment shows that the 0.8K existing device (Ezawa et al., 2019) has an IV characteristic test circuit, and a low voltage voltage generator (Ezawa et al., 2019) has a low voltage voltage of 3 μ V and a low temperature of 3 μ V. Optical properties, optical properties. In the future, under 1 pA, the bass will be improved and predicted.