不純物添加機構をもつイオンビーム法による化合物合成装置を用いての GaAs の成長
不純物添加機構をもつイオンビーム法による化合物合成装置を用いての GaAs の成長
使用具有杂质添加机制的离子束化合物合成设备生长GaAs
批准号：
56550219
负责人：
横田 勝弘
金额：
$1.09万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
イオンビームミキシング法で成長させた GaAs 膜中の炭素を減少させる研究
-
批准号：59550222
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.54万
-
财政年份：1984
-
负责人：横田 勝弘
-
依托单位：