イオンビームミキシング法で成長させた GaAs 膜中の炭素を減少させる研究
イオンビームミキシング法で成長させた GaAs 膜中の炭素を減少させる研究
离子束混合法生长GaAs薄膜减碳研究
批准号：
59550222
负责人：
横田 勝弘
金额：
$1.54万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
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会议论文
不純物添加機構をもつイオンビーム法による化合物合成装置を用いての GaAs の成長
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批准号：56550219
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.09万
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财政年份：1981
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负责人：横田 勝弘
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依托单位：