Spontaneous self ordering in InGaAs (P) - fundamentals and device applications

III/ v - misch水晶halbleiter weisen unstingingungenine Ordnung - innerhalb des grupi -III ungiters auf。光子学报，<s:2>光子学报，光子学报ausgeprägten偏振各向同性光学本征谱图，z.b.s。本文介绍了一种理想的不锈钢材料——<s:1>微结构材料-偏振敏感波元天线。Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung und Optimierung geordneten halbletermaterials in Hinblick auf Anwendungen in den fbr die Glasfasertechnik，其中光谱光谱厚度为1,55 μ m和1,3 μ m。1 . zeririchtung - Optimierung der polarationsan各向同性durchgefhrt and ausgewählte polarization -gesteuerte bauelementefuncktionen demonstriert werden。在此，我们将从以下几个方面进行分析：1 .链接链接：链接链接：unabhängig链接链接：Intensität链接链接：

III/V-Mischkristallhalbleiter weisen unter bestimmten Wachstumsbedingungen eine Ordnung innerhalb des Gruppe-III Untergitters auf. Diese Ordnung führt zu einer ausgeprägten Polarisationsanisotropie der optischen Eigenschaften, z.B. des Absorptions- und Emissionsverhaltens. Geordnete Mischkristallhalbleiter stellen somit ideale Ausgangsmaterialien für mikrostrukturierte polarisationssensitive Bauelemente dar. Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung und Optimierung geordneten Halbleitermaterials im Hinblick auf Anwendungen in den für die Glasfasertechnik wichtigen Spektralbereichen um l = 1,55 µm und 1,3 µm. Hierzu sollen grundlegende Untersuchungen der Ordnungseffekte ausgehend von gitterangepaßtem InGaAs auf InP mit Zielrichtung einer Optimierung der Polarisationsanisotropie durchgeführt und ausgewählte polarisations-gesteuerte Bauelementefunktionen demonstriert werden. Hierbei ist insbesondere an solche Komponenten gedacht, deren Ausgangssignale unabhängig von der Intensität des einfallenden Lichts sind.