Characterisation of defects in LT-GaAs using a novel method based on thin LT-layers incorporated into pin diodes

Ziel dieses Vorhabens ist die Charakterisierung tiefer Störstellen in 'Low Temperature Grown' GaAs（kurz LT-GaAs）mittels einer neuartigen Untersuchungsmethode.该方法韦尔登一个典型的5- 10 nm波长的半导体激光器的特征结构上的LT-GaAs Schicht。二极管角度扩展的Dendy Variation der an der Diode angelegten Spannungen können die Störstellen gezielt entleert bzw.在韦尔登。Mittels temperatur- und frequenzabhängiger elektrischer und elektro-optischer Untersuchungen（transiente Strom-Spannungs-Kennlinien），Kapazitätsmessungen，Schichtleitfähigkeiten，bzw.电致发光、光致发光、电吸收）解决了在波段中的Störstellen的能量转换、发光特性、用于电子和发光的光致发光器件（Wirkungsquerschnitte für den Elektronen- und Löchereinfang）的光谱吸收（Spektrale Abhängigkeit für Photo-induzierte Elektronen und Löcheremmissionbestimmt韦尔登）问题。因此，尽管LT-GaAs的许多吸收剂都是有吸引力的，但它是一种体积材料（最大的寿命、最大的宽支架和最大的Durchbruchsstärke），没有一种在韦尔登上的结构。

Ziel dieses Vorhabens ist die Charakterisierung tiefer Störstellen in 'Low Temperture Grown' GaAs (kurz LT-GaAs) mittels einer neuartigen Untersuchungsmethode. Bei dieser Metode werden die zum Teil drastischen Auswirkungen einer dünnen (typischerweise 5-10nm dicken) LT-GaAS Schicht auf die Eigenschaften einer pin-Struktur zur Charakterisierung genutzt. Durch Variation der an der Diode angelegten Spannungen können die Störstellen gezielt entleert bzw. befüllt werden. Mittels temperatur- und frequenzabhängiger elektrischer und elektro-optischer Untersuchungen (transiente Strom-Spannungs-Kennlinien), Kapazitätsmessungen, Schichtleitfähigkeiten, bzw. Elektrolumineszenz, Photostrom, Elektroabsorption) sollen ·die energetische Verteilung der Störstellen in der Bandlücke,·die charakteristischen Umladezeiten,·die Wirkungsquerschnitte für den Elektronen- und Löchereinfang·sowie die spektrale Abhängigkeit für photo-induzierte Elektronen und Löcheremmissionbestimmt werden.Darüber hinaus geben diese Untersuchungen auch wichtige Hinweise auf die realen Auswirkungen und Einflüsse von LT-Schichten in Bauelementen. Es zeigte sich, daß die für viele Anwendungen äußerst attraktiven Kenndaten von LT-GaAs, die an Volumenmaterial gewonnen wurden (kurze Ladungsträger-Lebensdauer, hoher spezifischer Widerstand und hohe Durchbruchsfeldstärke), nicht einfach auf Bauelement-Strukturen übertragen werden können.