Characterisation of defects in LT-GaAs using a novel method based on thin LT-layers incorporated into pin diodes

Ziel dieses Vorhabens ist - die Charakterisierung tiefer Störstellen在“低温生长”砷化镓（kurz LT-GaAs） mittel的中性氮化镓合成方法。（5-10nm尺寸尺寸）；（5-10nm尺寸尺寸尺寸尺寸尺寸）Durch变化der和der二极管angelegten Spannungen können die Störstellen gezielt entleert bzw。befullt了。米特尔斯温度与frequenzabhängiger电子与电子光学器件，Kapazitätsmessungen, Schichtleitfähigkeiten, bzw。·die energetische Verteilung der Störstellen in der bandl<e:1> cke，·die charakteristischen Umladezeiten，·die Wirkungsquerschnitte fre den Elektronen- und Löchereinfang·sowie die spektrale Abhängigkeit f<e:1> r photoindustrizierte Elektronen und Löcheremmissionbestimmt werden。在Bauelementen的翻译结果：1 .在Bauelementen的翻译结果：1 .在Bauelementen的翻译结果：Es zeigte siich, dasß die f<s:1> r viele Anwendungen äußerst attraktiven Kenndaten von t- gaas, die and Volumenmaterial gewonnen wurden (kurze Ladungsträger-Lebensdauer, hoher spezifischer Widerstand und hohe Durchbruchsfeldstärke), nicht einfach auf Bauelement-Strukturen bertragen werden können。

Ziel dieses Vorhabens ist die Charakterisierung tiefer Störstellen in 'Low Temperture Grown' GaAs (kurz LT-GaAs) mittels einer neuartigen Untersuchungsmethode. Bei dieser Metode werden die zum Teil drastischen Auswirkungen einer dünnen (typischerweise 5-10nm dicken) LT-GaAS Schicht auf die Eigenschaften einer pin-Struktur zur Charakterisierung genutzt. Durch Variation der an der Diode angelegten Spannungen können die Störstellen gezielt entleert bzw. befüllt werden. Mittels temperatur- und frequenzabhängiger elektrischer und elektro-optischer Untersuchungen (transiente Strom-Spannungs-Kennlinien), Kapazitätsmessungen, Schichtleitfähigkeiten, bzw. Elektrolumineszenz, Photostrom, Elektroabsorption) sollen ·die energetische Verteilung der Störstellen in der Bandlücke,·die charakteristischen Umladezeiten,·die Wirkungsquerschnitte für den Elektronen- und Löchereinfang·sowie die spektrale Abhängigkeit für photo-induzierte Elektronen und Löcheremmissionbestimmt werden.Darüber hinaus geben diese Untersuchungen auch wichtige Hinweise auf die realen Auswirkungen und Einflüsse von LT-Schichten in Bauelementen. Es zeigte sich, daß die für viele Anwendungen äußerst attraktiven Kenndaten von LT-GaAs, die an Volumenmaterial gewonnen wurden (kurze Ladungsträger-Lebensdauer, hoher spezifischer Widerstand und hohe Durchbruchsfeldstärke), nicht einfach auf Bauelement-Strukturen übertragen werden können.