半導体プラズマプロセスのための新しい直流放電型プラズマ源, イオン源の開発
半導体プラズマプロセスのための新しい直流放電型プラズマ源, イオン源の開発
半导体等离子体工艺用新型直流放电型等离子体源和离子源的开发
批准号：
57550184
负责人：
長坂 秀雄
金额：
$1.34万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1982
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1982 至 1983
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帯電粉体を用いる多目的コーティングに関する研究
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批准号：X00080----847039
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$2.05万
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财政年份：1973
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负责人：長坂 秀雄
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依托单位：