高分子極薄膜の作成とその電気物性の解明
高分子極薄膜の作成とその電気物性の解明
批准号:
57550192
负责人:
水谷 照吉
金额:
$0.77万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1982
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1982 至 --
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会议论文
酸化亜鉛バリスタの課電劣化機構
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批准号:61550211
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1986
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
光 CVD 法による有機高分子薄膜作成法の確立
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批准号:60550229
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1985
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
耐熱性有機高分子薄膜のトラップ準位の解明とその制御法の確立
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批准号:59550215
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1984
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子薄膜の圧電・焦電性と空間電荷
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批准号:56550213
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1981
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
気相成長高分子薄膜中のキャリアトラップの制御に関する研究
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批准号:X00090----555126
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1980
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子薄膜の低温気相成長と電気物性
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批准号:X00090----455125
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1979
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子絶縁材料中へのキヤリア注入と空間電荷
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批准号:X00095----365101
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.31万
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财政年份:1978
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子絶縁材料中のキャリア移動度とトラップ中心に関する研究
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批准号:X00210----175147
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.24万
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财政年份:1976
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子絶縁体の電荷担体の移動度測定に関する研究
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批准号:X00210----875139
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.2万
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财政年份:1973
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负责人:水谷 照吉
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依托单位:
高分子の光電導特性
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批准号:X46210------5471
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1971
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负责人:水谷 照吉
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依托单位: