酸化亜鉛バリスタの課電劣化機構

氧化锌压敏电阻的静电劣化机理

• 批准号: 61550211
• 负责人: 水谷 照吉
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61550211/
• 关键词: 酸化亜鉛バリスタ; ZnOバリスタ; 課電劣化; 薄膜バリスタ

本研究では、ZnOセラミックバリスタを単純化したモデル系(ZnO-【Bi_2】【O_3】薄膜バリスタ)を作成し、その導電機構および課電劣化機構を明らかにするとともに、実用セラミックバリスタの導電特性および劣化機構について検討した。以下、本研究で得られた主な成果を列記する。1.実用ZnOバリスタの電流-電圧特性を調べ、非直線的な電流急増の挙動を実験的に明らかにした。また、直流課電による劣化現象には極性効果が存在することを示した。2.直流高電界を印加したZnOバリスタが330℃付近に粒間層中の空間電荷に起因するTSCピークを示すことを明らかにした。また、この空間電荷が課電劣化と密接に関連していることを指摘た。3.RFスパッタ法により、ZnO-【Bi_2】【O_3】二層薄膜バリスタ(ZnOバリスタの単純化モデル系)を作成するための条件と電気特性との関係を明らかにした。4.この薄膜バリスタの電流-電圧特性も著るしい非直線性を示し、特に逆方向では非直線性を示すα値(α=△LnJ/△LnV)は60〜90の値を示し、ZnOセラミックバリスタと同等以上の特性を有することを明らかにした。5.薄膜バリスタの課電劣化を調べ、その原因が界面での空間電荷の蓄積によることを示した。6.薄膜バリスタの電流は顕著な湿度依存性を示し、湿度センサとしても有望であることを明らかにした。本研究により、ZnOバリスタの課電劣化の機構が明らかにされたので、今後はこれに対する対策を検討する必要がある。

In this study, the ZnO system (ZnO- [Bi_2] [Of3] thin film system) was developed, and the system was used to improve the performance of the system. The following is a list of the main results of this study. 1. Use ZnO to verify the performance of current-to-electricity characteristics, non-straight-line electrical current emergency response equipment, and non-straight-line current emergency response equipment. The direct current and direct current conditions may cause deterioration, such as the presence of sexual symptoms. two。 In the field of DC high power, the cause of the space charge at 330C is paid near the temperature of 330C. The cause of the ZnO charge in the air is sensitive to the temperature. The cause of the charge is very sensitive to the temperature. The damage to the space charge and the deterioration of the space charge are closely connected with each other and criticized by the police. 3.RF X-ray diffraction, ZnO- [Bi_2] [OB3] double-layer thin-film thermal analysis (ZnO thin-film characterization) are used to improve the performance of thin films. 4. The current-electrical characteristics of the thin film are sensitive to the direct current display, the reverse direction to the direct current display (α = LnJ/ LnV), and the ZnO characteristic to the same as the above. 5. The thin film is used to detect the deterioration of the film, and the interface between the temperature and the cause of the film shows the temperature of the space charge storage device. 6. The thin film is sensitive to the humidity dependence, and the humidity is expected to improve the performance. In this study, the ZnO information system is required to improve the performance of the organization, and in the future, it is necessary to improve the policy.

项目成果

Y.Suzuoki;A´.Ohki;T.Mizutani;M.Ieda: J.Appl.Phys.D Appl.Phys.20. (1987)

Y.Suzuoki；A´.Ohki；T.Mizutani；M.Ieda：J.Appl.Phys.D Appl.Phys.20（1987）。

Y.Suzuoki;A.Ohki;T.Mizutani;M.Ieda: J.Phys.D Appl.Phys.20. (1987)

Y.Suzuoki；A.Ohki；T.Mizutani；M.Ieda：J.Phys.D Appl.Phys.20。