Influence of Coulomb-Intraction an koherent transport and Anderson Localization in strongly disordered semiconductors

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Ultrakurze nichtlinear optische Experimente an Halbleitern eignen sich dazu, Lokalisierungsphänomene im Sinne der Anderson-Lokalisierung in der Anwesenheit starker, räumlich kleinskaliger Unordnung und Vielteilchen-Coulomb-Wechselwirkung im kohärenten Regime zu studieren. Die Lösung der Bewegungsgleichungen in der Zeitdomäne für solche Situationen erlaubt es, theoretische Aussagen zu diesem noch immer weitgehend unverstandenen Fragenkomplex zu liefern, die über die Resultate hinausgehen, die man üblicherweise aus Rechnungen für den stationären Fall, d.h. im Frequenzbereich für verschwindende Frequenz, erhält. Darüber hinaus gestattet die genannte Methode Vorhersagen für konkrete Experimente zur Anderson-Lokalisierung wechselwirkender Teilchen und zum Stromecho in ungeordneten Halbleitern zu treffen.