Transport and relaxation phenomena in disordered inorganic and organic semiconductors
Transport and relaxation phenomena in disordered inorganic and organic semiconductors
批准号:
5327260
负责人:
Professor Dr. Peter Thomas
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2003-12-31
中文摘要
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英文摘要
Ladungstransport und Energierelaxation optischer Anregungen in ungeordneten Systemen geschieht häufig unter Phononenbeteiligung durch inkohärente Hüpfprozesse (Hopping) zwischen lokalisierten Zuständen. Mischkristalle, mikrokristalline und amorphe anorganische Halbleiter, dotierte Halbleiter, verschiedene Gläser, Polymere, Flüssigkristalle und Halbleiterheterostrukturen seien als Beispiele genannt. Ladungsträger oder korrelierte Elektron-Loch-Paare bewegen sich zwischen lokalisierten Zuständen, die eine gewisse räumliche und energetische Verteilung aufweisen. Quantitative mikroskopische Theorien sind wegen der Komplexität der Materialien und mangels Informationen über die Natur der Unordnung häufig nicht durchführbar. Deshalb werden Modelle mit phänomenologischen Parametern betrachtet. In Grenzfällen lassen sich analytische Konzepte entwickeln, die durch numerische Monte-Carlo-Simulationen einerseits überprüft und andererseits auf allgemeinere analytisch nicht fassbare Fälle erweitert werden.
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会议论文
Influence of Coulomb-Intraction an koherent transport and Anderson Localization in strongly disordered semiconductors
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批准号:5203942
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Peter Thomas
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依托单位:
海外基金