イオン結晶におけるエキソ電子放射と表面状態分析
イオン結晶におけるエキソ電子放射と表面状態分析
批准号:
59550040
负责人:
鎌田 雅夫
金额:
$1.22万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 1985
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会议论文
負の電子親和力をもつGa As表面の形成過程とスピンメモリー
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批准号:98F00037
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1999
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负责人:鎌田 雅夫
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依托单位:
着色中心からの電子の放射機構の研究
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批准号:56540194
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:鎌田 雅夫
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依托单位:
熱及び光刺激エキソ電子の放射機構の研究
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批准号:X00090----555024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1980
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负责人:鎌田 雅夫
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依托单位:
アルカリハライド結晶におけるシアン酸イオンの励起状態の研究
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批准号:X00210----374096
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1978
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负责人:鎌田 雅夫
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依托单位: