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イオン結晶におけるエキソ電子放射と表面状態分析

イオン結晶におけるエキソ電子放射と表面状態分析
离子晶体中的外激电子发射和表面态分析
批准号:
59550040
负责人:
鎌田 雅夫
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1984
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1984 至 1985
关键词:

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負の電子親和力をもつGa As表面の形成過程とスピンメモリー
  • 批准号:
    98F00037
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    鎌田 雅夫
  • 依托单位:
着色中心からの電子の放射機構の研究
  • 批准号:
    56540194
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1981
  • 负责人:
    鎌田 雅夫
  • 依托单位:
熱及び光刺激エキソ電子の放射機構の研究
  • 批准号:
    X00090----555024
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1980
  • 负责人:
    鎌田 雅夫
  • 依托单位:
アルカリハライド結晶におけるシアン酸イオンの励起状態の研究
  • 批准号:
    X00210----374096
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.26万
  • 财政年份:
    1978
  • 负责人:
    鎌田 雅夫
  • 依托单位: