負の電子親和力をもつGa As表面の形成過程とスピンメモリー
負の電子親和力をもつGa As表面の形成過程とスピンメモリー
负电子亲和力和自旋记忆GaAs表面的形成过程
批准号：
98F00037
负责人：
鎌田 雅夫
金额：
$1.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2000
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会议论文
イオン結晶におけるエキソ電子放射と表面状態分析
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批准号：59550040
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.22万
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财政年份：1984
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负责人：鎌田 雅夫
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依托单位：
着色中心からの電子の放射機構の研究
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批准号：56540194
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1981
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负责人：鎌田 雅夫
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依托单位：
熱及び光刺激エキソ電子の放射機構の研究
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批准号：X00090----555024
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1980
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负责人：鎌田 雅夫
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依托单位：
アルカリハライド結晶におけるシアン酸イオンの励起状態の研究
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批准号：X00210----374096
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.26万
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财政年份：1978
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负责人：鎌田 雅夫
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依托单位：