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超高速モノリシック光集積回路の研究

超高速モノリシック光集積回路の研究
超高速单片光集成电路研究
批准号：
60420036
负责人：
末松 安晴
金额：
$17.6万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
财政年份：
1985
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1985 至 1987
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60420036/
关键词：
モノリシック光集積回路集積レーザ超高速変調光スイッチ外部変調器全反射型光スイッチ半導体量子井戸構造光デバイス分布反射器集積レーザ能動モノリシック光集積回路有機金属気相成長法

项目摘要

项目成果

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本研究では半導体量子井戸構造に電界を印加する時に生ずる屈折率変化を用いることにより数+Gbit/sec以上の超高速変調動作が可能光スイッチおよび外部変調器の動作特性の理論的背景を確認しこれを実現することを目指している。さらに、これまで開発を行って来た動的単一モード集積レーザとこの光スイッチをモノリシックに集積し、超高速変調を可能とする光集積回路を実現することを目的としている。量子井戸構造の電界印加に伴う屈折率変化を用いる全反射型光スイッチとして、交差角10度以上、長さ10μm程度、応答速度数THz程度の超小型、超高速動作が理論的に明らかになっている。61年度は、この全反射型光スイッチを実現するための最初の段階として、良質のGaInAsP/InP多重量子井戸(MQW)構造結晶の実現と、この構造の電気光学特性を明らかにすることを目的とした。液相成長法によって、1.3μm波長帯に適用できる量子井戸厚15nm、障壁層厚20nm、25周期からなるGaInAsP/InP多重量子井戸構造を作製し、印加電圧25Vで500【cm^(-1)】という大きな吸収係数変化が起こることを見出した。また集積回路化に最も重要となる低電流動作レーザ実現を目指して、活性領域幅1μm以下の狭ストライプ埋め込みレーザの試作を行い、9.6mAという低電流動作を実現すると共に、活性領域長の短縮による低電流化を押し進めるための新しい内部ストライプ構造を提案および実現した。以上のように、本研究では超高速変調可能なモノリシック光集積回路を実現するための基礎資料を得ている。
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Y.Ohki: Jpn. J. Appl. Phys.
Y.Ohki：日本。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Yamamoto: J. Light Wave Technology. (1986)
H.Yamamoto：J.光波技术。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Komori: Proc.9th Conf.on Optical Fiber Commun.Atlanta,USA,. TUJ5 (1986)
K.Komori：Proc.9th Conf.on Optical Fiber Commun.美国亚特兰大。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
下村和彦: 昭和61年度電子通信学会総合全国大会論番号205. 分冊2. 34 (1986)
Kazuhiko Shimomura：1986 年电子通信工程师学会全国会议论文第 205 号。第 2 卷 34（1986 年）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 10 条
    電気関連技術に関わるマルチメディア技術史アーカイブの情報発信方法の高度化の研究
    • 批准号：
      20032014
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $2.18万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      末松 安晴
    • 依托单位：
      National Institute of Informatics
    電気関連技術に関わるマルチメディア技術史アーカイブの情報発信方法の研究
    • 批准号：
      18046017
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $2.82万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      末松 安晴
    • 依托单位：
      National Institute of Informatics
    混晶デバイスと新プロセス技術に関する研究
    • 批准号：
      61114004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $16.64万
    • 财政年份：
      1985
    • 负责人：
      末松 安晴
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    GaInAsP/InP四元混晶のエピタクシーと光デバイスの研究
    • 批准号：
      60222020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Special Project Research
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      1985
    • 负责人：
      末松 安晴
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金