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赤外分光分析法によるプラズマ補助熱成長シリコン窒化膜の成長機構の研究

赤外分光分析法によるプラズマ補助熱成長シリコン窒化膜の成長機構の研究
红外光谱研究等离子体辅助热生长氮化硅薄膜的生长机理
批准号:
60550237
负责人:
松本 智
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1985
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1985 至 --
关键词:

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项目成果

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規則的に配列されたドーパントを含む半導体構造の研究
  • 批准号:
    08875068
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.22万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    松本 智
  • 依托单位:
紫外分光による吸着層の光分解過程の計測
  • 批准号:
    02253211
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    松本 智
  • 依托单位: