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紫外分光による吸着層の光分解過程の計測

利用紫外光谱法测量吸附层的光分解过程

基本信息

批准号：
02253211
负责人：
松本智
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Keio University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

光励起プロセスにより、半導体、絶縁体、金属などの膜形成、ド-ピング、エッチングなどにおいては、反応ガスの光分解のみならず、基板表面上に形成される吸着層の光分解も極めて重要である。反応ガスの光分解過程に関しては、赤外分光法や質量分析法などにより詳しく調べているが、吸着層に関しては報告が少ない。本研究では、実際に光励起プロセスを行う圧力(数Torr程度)で形成される吸着層に対して、その圧力依存性、および吸着層へ紫外光を照射したときの構造変化を調べた。反応ガスとしては、不純物ド-ピング用として半導体プロセスで一般的に用いられているジボラン(B_2H_6)を、また、膜成長に用いられる有機金属であるトリメチルアルミニウム((CH_3)_3Al、TMA)を取り上げた。具体的方法は、始めに、水晶振動子の振動数変化から吸着層の厚さの圧力依存性を、次に、吸着層へ紫外光(ArFエキシマレ-ザ-、波長193nm)を照射し、その構造変化を光電子分光分析法(XPS)で調べた。TMAでは、室温において水晶振動子により吸着層の存在が確認されたが、ジボランでは、その存在は確認されなかった。ジボランの蒸気圧が室温においてかなり高いため、吸着層の同定は困難であったと思われるので、今後は低温にして測定を行う予定である。次に、チャンバ-ヘジボランを所定の圧力(0.05Torrー5Torr)だけ導入し、シリコン基板表面に吸着層を形成し、この表面にエキシマレ-ザ-を照射した。エネルギ-密度は53mJ/cm^2であり、シリコン溶融のエネルギ-に比べてかなり小さい値であり、熱的影響を避けている。レ-ザ-照射後のシリコン表面のXPS測定により、ボロン(B)単体の信号が同定され、さらに、ボロン量が圧力と共に増加することから、ジボラン吸着層が紫外光により直接光分解されていることを明らかにした。

The formation of thin films, the formation of light on the surface of the substrate, and the formation of light on the surface of the substrate. In the process of photolysis, the process of photolysis, the method of infrared spectrophotometry, the method of quantitative analysis, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, the method of spectrophotometry, the method of photolysis, photolysis, photol In this study, the effect of Torr on the absorption, dependence, and absorption of ultraviolet light was studied in this study. In general, the equipment is used in the general system. The equipment is used in the B_2H_6 system. The film is made by the machine-mounted metal device. The device ((CH_3) _ 3Al, TMA) is used to obtain the upper layer. The specific methods are as follows: the number of vibrations of the crystal vibrator, the absorption of the thickness of the crystal, the dependence of the force, the absorption of ultraviolet light (ArF ultraviolet radiation, the wavelength of 193nm), and the absorption of photoelectron spectroscopy (XPS). TMA temperature, room temperature temperature, crystal oscillator temperature, temperature The temperature at room temperature, the temperature The measured force (0. 05 Torrature 5 Torr), the suction on the surface of the substrate, the formation of the surface, and the surface of the substrate. Density-density 53mJ/ cm ^ 2, melting, melting-the shadow of the density is smaller than the density, the density is smaller than the density, and the density is smaller than the density. After irradiation, the surface samples were measured by XPS, the body signals were measured by the same measurement, the measurements were measured by the same amount of force, and the absorption of ultraviolet light was observed.