新しい磁気応用の研究と調査
新しい磁気応用の研究と調査
批准号:
61306022
负责人:
内山 晋
金额:
$2.11万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1986
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1986 至 --
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英文摘要
本総合研究は、磁性材料および磁気応用に関する最近の世界的な研究成果を調査して新しい研究動向を探り、あわせて第25回国際応用磁気会議(東京)の招待講演者の決定とプログラム編成を行うことが目的である。研究分担者33名を(1)磁気記録,(2)ソフト材料,(3)光・マイクロ波材料および装置,(4)磁気バブル,(5)永久磁石材料とその応用,(6)パワーマグネティクス,(7)磁界計算・計測・センサその他の7つの部会に分けて調査を進めた。各部会の調査結果をもとにして、部会主査および副主査による第2回主査会議を61年7月30日に開催し、上記の国際応用磁気会議の招待講演者の約50%を決定した。その後第2回主査会議を経て、第3回主査会議で計37件の招待講演者を決定した。また一般公募論文は、予定の約500件を大幅に上回る約850件に達したが、61年12月15〜16日および62年1月6〜8日の全体会議で審査し、採択650件を決定し、プログラム編成作業を終えた。最近の応用磁気研究動向として、磁気記録関係が激増しており、最近の3年間の採択論文数(招待を含む)を示すと99件,118件,190件(全体の28%)となっている。内容的には、日本で発明された垂直記録方式に関する研究がますます盛んになるとともに、記録媒体と磁気ヘッドの接触問題に関係したトライボロジーが新しいテーマとして浮上してきている。光礎気記録へのアモルファス磁性膜の利用と再生装置の開発は日本から始まったことから、この分野の論文約60件の2/3は日本からのものであり、質的にも日本のリードが続いている。日本の発明であるブロッホラインメモリも話題の中心であるが、実験が難しく論文は少ない。磁石材料では、これも日本の発明であるNd-Fe-B磁石が話題の中心である。第6及び第7部会の内容はさらに広範囲となっているが、超伝導に関係した磁気浮上、電気機器高磁場発生等が注目される。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
R.Ramesh;G.Thomas;M.Okada;M.Homma: IEEE Transactions on Magnetics. MAG-23. (1987)
R.Ramesh;G.Thomas;M.Okada;M.Homma:IEEE 磁学汇刊。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
新しい光磁気材料の開発と物性の研究
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批准号:61134028
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$25.6万
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财政年份:1986
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负责人:内山 晋
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依托单位:
新しい光磁気材料の開発と物性研究
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批准号:60306021
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1985
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负责人:内山 晋
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依托单位:
新しい光磁気材料の開発と物性
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批准号:59306021
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1984
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负责人:内山 晋
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依托单位:
希土類‐鉄族アモルファス多層膜を用いた光磁気メモリ媒体の研究
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批准号:58460124
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.06万
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财政年份:1983
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负责人:内山 晋
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依托单位:
アモルファス磁性膜の特性
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批准号:57104009
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.2万
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财政年份:1982
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负责人:内山 晋
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依托单位:
アモルファス磁性膜の特性
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批准号:56211029
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.2万
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财政年份:1981
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负责人:内山 晋
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依托单位:
アモルファス磁性膜の特性
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批准号:X00040----521531
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.03万
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财政年份:1980
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负责人:内山 晋
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依托单位:
バブル磁区の無勾配磁界駆動法の研究
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批准号:X00080----246104
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1977
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负责人:内山 晋
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依托单位:
低キューリー点Mn Sb薄膜の製法並びに磁気光学的性質の研究
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批准号:X00090----855094
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.92万
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财政年份:1973
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负责人:内山 晋
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依托单位:
Williams 法による MnBi 薄膜形成過程の研究
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批准号:X00090----755091
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1972
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负责人:内山 晋
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依托单位:
磁性薄膜の速いエージング過程の研究
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批准号:X44095-----85536
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.18万
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财政年份:1969
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负责人:内山 晋
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依托单位:
海外基金