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Characterization of -SiC Surface and its MIS Structure Using Electron Spectroscopy and Electrical Measurement

使用电子能谱和电学测量表征 -SiC 表面及其 MIS 结构

基本信息

批准号：
61550019
负责人：
MIZOKAWA Yusuke
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至 1987
项目状态：
已结题

项目摘要

超高真空下で通電加熱(〜1100℃)により清浄化したB-SiC表面(C2×2LEED像は, CKLL/SiLVV〜0.9のオージェ信号を与える. これはCでターミネイトされたB-SiC(100)表面で期待されるオージェ信号強度比である. このときSiLVV,CKLLとも低運動エネルギー側に特徴的な微細構造を示し, それらの二次微分スペクトルの比較から, 微細構造はバルクおよび表面プラズモン損失によるものであることをはじめて明らかにした.C2×2表面に室温で鉄を数原子層蒸着すればSiLVVおよびCKLLスペクトルに僅かな変化があらわれる. コンピュータシミュレーションによりその変化は鉄シリサイドおよび鉄カーバイドの生成によるものであることが明らかとなった. 反応は極く僅かではあるが室温でも鉄とB-SiCが反応しシリサイドとカーバイドが生成することがはじめて明らかとなった. 室温で多量の鉄を蒸着し, 完全にSiCオージェシグナルが鉄で覆われた後, 試料を250℃で30分間真空中アニールすればまず炭素が表面にあられる. そのCKLL線形は, Fe_3C標準スペクトルとほぼ一致する. さらに540℃で30分間アニールすればカーバイド強度も増加するが, Si強度はそれ以上に急激に増加する. SiLVV線形は単体Siのそれと一致する. Ar^+イオンスパッタで表面を少し削れば, Si, 炭素とも急激に減少することからそれらは, 粒界拡散によって表面偏析したものであることが明らかとなった. 膜の内部ではSi:C:Feの比はおよそ1:2.5:25で, SiLVVとCKLLの線形はそれぞれFeSi_2およびFe_3Cの特徴を示す. また界面では単体Siのパイルアップが顕著に認められた. Fe/B-SiC反応については, 500℃で全ての鉄が完全に反応するという報告と全く反応しないとする報告があるが本結果はそれらの中間にあたる. 反応の進行の程度は試料表面の状態に強く依存するように思われる.

Under ultra-high vacuum heating (~ 1100℃), the surface of B-SiC (C2×2LEED image, CKLL/SiLVV ~ 0.9) is cleared. B-SiC(100) surface is expected to have a high signal intensity ratio. The microstructure characteristic of SiLVV,CKLL and low motion generation side is shown in the comparison of the second derivative, the microstructure is shown in the comparison of the surface loss. The atomic layer of iron at room temperature on the surface of C2 ×2 is evaporated in the comparison of SiLVV and CKLL. The first step is to change the color of the film and to change the color of the film. The temperature of iron and B-SiC is very high. At room temperature, a large amount of iron was evaporated, and the SiC was completely coated with iron. After the iron was coated, the sample was evaporated at 250℃ for 30 minutes in vacuum. The CKLL line shape of Fe_3C is consistent with that of Fe_3C standard. At 540℃ for 30 minutes, the Si intensity increases rapidly. SiLVV line shape is consistent with Si. Ar^+, Si ^+, Carbon ^+, Carbon ^+, Carbon ^ The Si:C:Fe ratio inside the film is 1:2.5:25, and the linear shape of SiLVV and CKLL is characterized by FeSi_2 and Fe_3C. The interface is simple, and the interface is simple. Fe/B-SiC reaction temperature, 500℃, total iron reaction temperature, total reaction temperature, total reaction temperature. The degree of reaction depends strongly on the state of the sample surface.