多層膜超伝導体の上部臨界磁場に関する研究

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本研究は多層膜超伝導体の上部臨界磁場の挙動を調べ、更に現在最も実用に供されているNbTi合金極細多心線を凌ぐものが得られるかを調べる事にある。我々が以前より研究しているNb/Ti多層膜の研究により多層膜ではbulkのものより上部臨界磁場(【H_(C2)】)を高める事が見出され、この結果に基いて研究を推し進めている所である。具体的な継過、成果を以下に示す。1.NbTiを基とした多層膜の作製………本所にあるマルチターゲットスパッタ装置を用いてNbTi/Ti、NbTi/Nb多層膜をNbTiの組成比を【Nb_(65)】【Ti_(35)】、【Nb_(28)】【Ti_(72)】と変え、更に積層周期(λ)を50〜1600Åに変えて作製した。これらの全試料に就いてX線により構造を調べた。2.自動制御システムよる電気抵抗測定装置の組立と超伝導臨界温度(Tc)の測定………上記作製した数十個の試料に就て超伝導体としての基本的な物性量である臨界温度を先ず測定する必要があり、試料数の多い事と測定の省力化のため試料の抵抗を同時に4個測定できる抵抗測定装置を組み立てそれを設備備品として計上した自動制御システム(コンピューター、ディスプレイ、プロッター、プリンター、デジタルマルチメータ)を用いて自動化した。これにより転移点の入依存性を測る事が出来た。3.上部臨界磁場の測定………上記2.の抵抗測定によって選び出した10〜20数個の試料に就て本所低温センター超伝導マグネットを用いて【H_(C2)】の測定を行った。この測定は磁場制御が多段階にあるため現在手動で行ってるが将来上記コンピューターシステムを用い自動化する計画を立てている所である。又データ解析にはコンピュータシステムを用いた。4.上記得られたデータを解析し理論との比較を行った。また目的の一つである臨界磁場を上げる事に関してはNbTi/Ti系の或る積層周期のものについてbulkより高いものの得られる可能性を見出し、今後更に組成、入、スパッタ条件を変えて研究を続けていくつもりである。