Cubic Boron nitride: phase diagram, reaction mechanisms of catalysts and deposition and growth on substrate surfaces

[3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2][2] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [3] [1] [3] [1] [3] [1] [3] [1] [4] [1] [4] [1] [4] [1] [1] [4]in zweiter Aspekt des Projektes beinhaltet die abunkung der benötigten transformationsdrcke ' s he ' s he ' s he ' s he ' s he ' s he ' s he ' s he ' s he ' s technology in Verwendung superkritischer fluid and feststofcatalysoreen, mit， technology相关Substrate zu beschichen and größere cbn - einkristle herzustellen。研究了石墨烯基板的结构和外延特性，并对石墨烯基板/cBN基板进行了研究。Die Stabilitätsbeziehungen in phase diagram von Bornitrid sind fld r alle arbeitsgrouppen von grou ßer Bedeutung。ausdeem Grund musß die derzeit bestehende Diskrepanz zwischen理论与实验学家Phasengrenze cBN/hBN aufgeklärt werden， um die experimentellen Randbedingungen fgr Beschichtungsverfahren zu optimieren。

Die vorgeschlagenen Untersuchungen sollen zu einem besseren Verständnis des Nukleations- und Wachstumsprozesses von cBN in katalytischen Systemen beitragen. Das Reaktionsschema der in situ gebildeten, für die cBN-Transformation relevanten, Hochdruckphasen soll bestimmt und in PVD-Verfahren sollen diese Substanzen auf ihre Wirksamkeit hin getestet werden.Ein zweiter Aspekt des Projektes beinhaltet die Absenkung der benötigten Transformationsdrücke bis hin zur Normaldrucksynthese unter Verwendung superkritischer Fluide und Feststoffkatalysatoren, mit dem Ziel, technisch relevante Substrate zu beschichten und größere cBN-Einkristalle herzustellen. Aus der Charakterisierung der beschichteten Substrate sollen Textur- und Epitaxiebeziehungen in der Grenzschicht Substrat/cBN abgeleitet werden.Die Stabilitätsbeziehungen im Phasendiagramm von Bornitrid sind für alle Arbeitsgruppen von großer Bedeutung. Aus diesem Grund muß die derzeit bestehende Diskrepanz zwischen theoretischer und experimenteller Phasengrenze cBN/hBN aufgeklärt werden, um die experimentellen Randbedingungen für Beschichtungsverfahren zu optimieren.