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非晶質SiCをワイドバンドギャップエミッタとするバイポーラトランジスタの基礎研究

非晶質SiCをワイドバンドギャップエミッタとするバイポーラトランジスタの基礎研究
非晶SiC作为宽带隙发射极的双极晶体管基础研究
批准号：
61750267
负责人：
佐々木 公洋
金额：
$0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1986 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61750267/
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結晶/非晶質混合相シリコン系材料による巨大熱電現象の実証とその応用
  • 批准号：
    18360145
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.99万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Kanazawa University
極薄SiC膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
  • 批准号：
    05750284
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Kanazawa University
有機系/フッ素系原料ガスによる低抵抗SiCxエミッタの研究
  • 批准号：
    04750244
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.51万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
フッ素化微結晶Siエミッタを用いた耐熱性ヘテロ接合トランジスタの研究
  • 批准号：
    02750208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology