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結晶/非晶質混合相シリコン系材料による巨大熱電現象の実証とその応用

結晶/非晶質混合相シリコン系材料による巨大熱電現象の実証とその応用
晶/非晶混相硅基材料巨热电现象演示及其应用
批准号：
18360145
负责人：
佐々木 公洋
金额：
$4.99万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360145/
关键词：
SiGe熱電効果ゼーベック効果歪みSOI

项目摘要

项目成果

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高抵抗Si基板上に堆積したSiGeが高い熱電性能を示すことを報告してきたが、高抵抗Si基板は、450℃程度の熱処理を加えると結晶内部に微量溶融している酸素がドナーとして電気的に活性化しキャリアを放出するという現象が存在する。いわゆるサーマルドナーと呼ばれる効果である。本研究で見られた高い熱電効果は、膜抵抗の低下によるところが大きく、このサーマルドナーの影響を受けたものであると推定された。一方、基板の影響を受けないようにSOI基板を用いたところ、高抵抗Si基板で得られたような高い熱電特性は得られなかったが、従来のバルクSiGeを上回る値が得られた。歪みや結晶欠陥が引き起こしたものであると考えられる。
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会议论文
劣化エピラキシャル成長したSiGe膜の熱電特性?基板の影響?
退化的外延生长 SiGe 薄膜的热电性能？衬底的影响？
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： 日本熱電学会第3解学術講演会論文集
影响因子： --
作者： [的場, 早平, 佐々木]
通讯作者： 佐々木
劣化エピラキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能
使用退化外延生长制备的 SiGe 薄膜的热电性能
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： 電子情報通信学会 技術研究報告
影响因子： --
作者： [的場, 早平, 佐々木]
通讯作者： 佐々木
Epitaxial Growth and Thermoelectric Properties of SiGe Films Prepared By Ion Sputtering Technique
离子溅射技术制备SiGe薄膜的外延生长及其热电性能
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： JAIST International Symposium on Nano-Technology 2006(invited) pp.16-17
影响因子： --
作者： [K.Sasaki, J.Yamamoto, H.Watase, A.Motoba]
通讯作者： A.Motoba
極薄SiC膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
  • 批准号：
    05750284
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Kanazawa University
有機系/フッ素系原料ガスによる低抵抗SiCxエミッタの研究
  • 批准号：
    04750244
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.51万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
フッ素化微結晶Siエミッタを用いた耐熱性ヘテロ接合トランジスタの研究
  • 批准号：
    02750208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
微結晶化Siによる低抵抗ヘテロエミッタを用いたバイポーラトランジスタの基礎研究
  • 批准号：
    63750282
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    佐々木 公洋
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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