半導体表面のレーザー分光

半导体表面激光光谱

• 批准号: 62609507
• 负责人: 〓本 泰章
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62609507/
• 关键词: 半導体表面; レーザー分光; 第二次高調波

半導体表面の構造および電子状態をレーザー分光により研究する事を目的として, Si(111)表面に対し, QスイッチNd:YAGレーザーの高出力光パルス(波長1.06μm, 繰り返し10Hz, 時間巾2.5ns, 最大250mJ)を当て, 第二次高調波(SHG)を観測した. Si結晶は反転対称性をもっており, バルクではSHG禁制であるので, 発生するSHGは表面敏感で, その偏光性は, 表面構造を反映したものとなる. 表面構造を観測するレーザー分光法の最大の特長は, 超高速時間分解が可能で, 表面の構造変化のダイナミックスが測定できるという点である. しかしながら, SHG発生の効率は低く, Si表面の損傷の閾値24mJ/mm^2(〜10^<17>フォトン/mm^2)以下の光強度に対しては, 10^3フォトン程度の微弱なSHG光の放出が予想される. 従って, 計測系に対する要請としては, 迷光を防ぎながら, 計数効率を最大限上げる必要がある. この為, 通常のラマン散乱の実験に用いられる, ダブル(トリプル)分光器, 冷却された光電子増倍管, およびフォトンカウンティング法を用いた. この結果, 200パルスのレーザーショットの積算き結果, 83カウント程度のSHG信号の検出が, S/N比10程度で可能になった. 現在, 試料表面に対する偏光特性を調べている.

On the surface of the hemispheric body, there is a device for the study of the electron beam spectroscopy. the purpose of the study is that the surface temperature of the Si (111) is higher than that of the Nd:YAG (wavelength 1.06 μ m, return 10Hz, time towel 2.5ns, maximum 250mJ). The second high altitude wave (SHG) is sensitive. Si results show that the surface is sensitive and polarizing, and the surface is sensitive and polarized. the surface is sensitive to SHG, and the surface is sensitive to polarization. the results show that the surface is sensitive, polarizing and polarized. It is possible to use the surface scanning calorimeter to determine the maximum characteristic of the ultra-high-speed time decomposition method, and to determine the temperature point of the ultra-high speed time decomposition method. The frequency of SHG is low, the intensity of light is below 24mJ/ ^ 2 (~ 10 ^ & lt;17>

项目成果

Y.Masumoto and F.Sasaki: Journal of Luminescence. 40. 709-710 (1988)

Y.Masumoto 和 F.Sasaki：发光杂志。

舛本 泰章: レーザー研究. 15. 941-947 (1987)

增本康明：激光研究 15. 941-947 (1987)