清浄金属表面を用いた高反応性表面の調製

使用清洁的金属表面制备高反应性表面

基本信息

  • 批准号:
    62609512
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1987
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1987 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では高活性な反応種を固体表面上に生成させ, その性質・反応性を詳細に検討することを目的としている. 具体的には清浄なアルミニウム単結晶上に低温でCH_2I_2などのハロゲン化メチレンを導入した後, 温度を上昇させることにより気相中にCH_2ラジカルが放出される. これらの反応についてLEEDやMASSによって調べ, 更に高感度赤外反射法(RAS)でどによってその性質を明らかにする.1.超高真空系の製作:試料を超高真空下で取扱う必要から超高真空容器を製作し, それに既存のLEED, MASSやRAS装置を組み込むことが出来た.2.アルミニウム単結晶の調整:単結晶アルミニウム金属をスパークカッターを用いてAl(111), Al(110)およびAl(100)面を切出した. XRDで調べた結果±0.5度以内で正確にこれらの面が現れていることがわかった.3.調整されたAl(111)単結晶を用いて超高真空下にて低温でCH_2I_2を導入し, 温度を上げながら昇温脱離ピークを調べた. その結果0>1のところで140KのところにCH_2^+ラジカルに生成によるピークが観測された. Al表面にはIが残るが, 773Kに昇温することによって再び清浄なAl面が得られることがわかった. なおAl(111)上に吸着したCH_2I_2はdisorderであることがわかった. 他のAl(110), Al(100)面についても同様に研究を進め, 単結晶面による反応性の相違について検討を行っている.
The purpose of this study is to induce the formation of carbon on the surface of highly active solids, and the effect of high activity on the surface of the solid. After the specific temperature is clear, the temperature is CH_2I_2, the temperature is low, the temperature is low, the temperature is This is not true because of the high sensitivity of the infrared reflectance method (RAS), the high sensitivity infrared reflectance method (RAS), the high sensitivity infrared reflectance method (RAS) and the high sensitivity infrared reflectance method. 1. The ultra-high vacuum system is used: under the ultra-high vacuum, it is necessary to use the ultra-high vacuum container to make the material, the existing LEED, the MASS RAS device and the components of the ultra-high vacuum device. 2. The results show that the surface of the Al is cut out on the surface of the Al. The results of XRD test results are correct within ±0.5 degrees. 3. The temperature of Al (111C) was measured under ultra-high vacuum (UHV) at low temperature (CH_2I_2), and the temperature was separated from the temperature. The result of the experiment is 0. GTX

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
堂免 一成: J.Phys.Chem.
Kazunari Domen:J.Phys.Chem。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

大西 孝治其他文献

大西 孝治的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('大西 孝治', 18)}}的其他基金

表面における化学反応のダイナミックス分光法による研究
使用动力学光谱研究表面化学反应
  • 批准号:
    62307001
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
表面での原子・分子の組みかえに関する研究
表面原子、分子重排研究
  • 批准号:
    58104003
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
種々の半導体触媒による水の光分解反応の研究
利用各种半导体催化剂进行水光解反应的研究
  • 批准号:
    56540248
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
酸素錯体における酸素の配位状態と反応性の研究
氧配合物中氧的配位状态和反应性研究
  • 批准号:
    X00090----354132
  • 财政年份:
    1978
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了