顕微ラマン分光法による半導体材料の評価
顕微ラマン分光法による半導体材料の評価
通过显微拉曼光谱评估半导体材料
批准号：
63790273
负责人：
溝口 幸司
金额：
$1.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 1989
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会议论文
半導体超格子におけるコヒーレントフォノンの位相ダイナミクス
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批准号：09740244
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$1.47万
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财政年份：1997
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负责人：溝口 幸司
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依托单位：
ラマンイメージ測定による酸化膜上ナノスケールシリコン薄膜の界面評価
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批准号：07750014
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1995
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负责人：溝口 幸司
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依托单位：
ラマン散乱分光法による短周期DNA結晶の塩基配列の決定
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批准号：05750014
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1993
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负责人：溝口 幸司
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依托单位：