ラマンイメージ測定による酸化膜上ナノスケールシリコン薄膜の界面評価

拉曼图像测量氧化膜上纳米级硅薄膜的界面评价

• 批准号: 07750014
• 负责人: 溝口 幸司
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750014/
• 关键词: ラマンイメージ; シリコン薄膜; 界面評価

最近、高感度のCCDカメラを装備したラマンイメージング装置を用いることで、非常に微弱なラマン信号を短時間でS/N良く測定できるようになってきた。本研究では、再結晶化シリコン中の欠陥検出が可能かどうかを確認した上、酸化膜上ナノスケールシリコン薄膜の結晶性について調べた。特に、酸化膜上のナノスケールシリコン薄膜(SOI試料)において、酸化膜との界面付近のシリコン薄膜の結晶性の評価を行った。ラマンイメージ測定による欠陥検出の確認は、再結晶化シリコン試料中に多くの欠陥が含むようなイオン注入後フラッシュランプアニールされた試料を用いて行った(Journal of Applied Physics,77,1995,3388-3392.Material Science Forum by Trans Tech Publication,1995,印刷中)。その後、酸化膜上のナノスケールシリコン薄膜の結晶成長のメカニズムを調べるため、ガス源としてシランおよびジシランの2種類を用いて、熱アニールの際の結晶成長速度の違いを調べた。その結果、シランをガス源として用いたナノスケールシリコン薄膜の方が早く全体が結晶化されることがわかった。これは、アニールの際、結晶成長のための核生成率が違うためと考えられる。(Journal of Applied Physics,78,1995,3357-3361.)さらに、酸化膜付近のシリコン薄膜の界面状態を調べるため、シリコン薄膜を斜め研磨し、シリコン薄膜内の深さ方向のラマンイメージを測定した。その結果、界面に付近では結晶性が悪く、欠陥が多く存在していることがわかった(未発表)。

Recently, high-sensitivity CCD camera equipment is used in a very weak signal for a short time. In this study, the possibility of crystallization in recrystallization film was confirmed and the crystallization of recrystallization film was adjusted. In particular, we will evaluate the crystallinity of the Nausakirsullikon film (SOI sample) on the acidified film and the silicon-on film near the interface between the acidified film and the silicon-on film. The determination of the amount of impurities in the sample and the recrystallization of the sample were confirmed.(Journal of Applied Physics,77,1995,3388- 3392. Material Science Forum by Trans Tech Publication,1995, in press). The crystal growth rate of the film on the acidified film is adjusted by adjusting the crystal growth rate of the film on the acidified film. The crystal growth rate of the film is adjusted by adjusting the crystal growth rate of the film on the acidified film. As a result, the film was crystallized. The rate of nuclear formation of crystal growth is higher than that of other crystals. (Journal of Applied Physics,78,1995,3357-3361.) The interface state of the thin film near the acidified film is adjusted, and the depth direction of the thin film is measured. As a result, the interface is close to the crystallization, and the lack of crystallization exists.

项目成果

Kohji Mizoguchi et al.: "Raman image study of flash-lamp annealing of ion-implanted silicon" Joumal of Applied Physics. 77. 3388-3392 (1995)

Kohji Mizoguchi 等人：“离子注入硅的闪光灯退火的拉曼图像研究”应用物理学杂志。

Kohji Mizoguchi et al.: "Characterization of thermally annealed thin silicon films on insulators by Raman image measurement" Journal of Applied Physics. 78. 3357-3361 (1995)

Kohji Mizoguchi 等人：“通过拉曼图像测量对绝缘体上热退火硅薄膜进行表征”应用物理学杂志。

Kohji Mizoguchi et al.: "Raman image study of defects in ion-implanted and post annealed silicon" Material Science Forum by Trans Tech Publication. (印刷中). (1995)

Kohji Mizoguchi 等人：“离子注入和退火后硅中的缺陷的拉曼图像研究”，Trans Tech Publication 的材料科学论坛（1995 年出版）。