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セラミックスにおける照射損傷の特徴評価

陶瓷辐照损伤特性评价

基本信息

批准号：
01050026
负责人：
木下智見
金额：
$ 10.88万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Fusion Research
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

セラミックスの照射損傷の特徴の内、次の1〜4の特徴を核融合炉材料の立場から評価し、それぞれ次の結果を得た。1.弾性・非弾性の相乗効果、およびエネルギー密度の高い衝突と低い衝突の相乗効果の評価:Al_2O_3に関して中性子と電子線の正の相乗効果を、Si、Ge、MgO、Al_2O_3およびMgAl_2O_4に関してXe^+イオンと電子線の負(Si、Ge)および正(その他)の相乗効果を見出した。また、高密度励起による点欠陥形成機構を、量子化学的計算機模擬実験により証明した。2.放射線照射下でのセラミックス構成原子濃度変化と相の安定性評価:電場および荷電粒子線照射下において、電気的中性条件を満足するような濃度変化を確認した。また、セラミックスの電気的特性は、粒界の不純物イオンにより支配されていることを確認した。3.黒鉛の照射損傷機構の解明と実用黒鉛の照射損傷評価:電子およびイオン照射下における黒鉛のスエリング、双晶化、非晶質化および再晶出化過程の電顕「その場」観察を行なった。非晶質化に必要な損傷量は1dpa程度であり、5×10^<-3>dpa程度でスエリングは飽和する。これらの結果から、黒鉛の損傷機構を記述する原子論的モデルを提出した。さらに、電気伝導度、熱伝導度、蓄積エネルギーおよびポジトロンの寿命測定等から、中性子照射した実用黒鉛の照射損傷を評価した。4.製法の異なるSiCの重照射損傷評価:製法の異なる3種類のSiCを500〜800Kの温度に保持し、最高1×10^<27>n/m^2の中性子を照射した。照射後および照射後の焼鈍過程でのスエリング量、硬度、ガス放出量および微細組織の観察等が行なわれ、核融合炉条件下での使用限度と、製法および焼結助剤の選別がなされた。

The characteristics of radiation damage in nuclear fusion furnace materials are evaluated according to the internal and secondary characteristics of 1 ~ 4. 1. Evaluation of the phase effects of neutral and neutral electron lines, Si, Ge, MgO, Al_2O_3 and MgAl_2O_4, respectively, and the phase effects of negative (Si, Ge) and positive (Si, Ge) electron lines. The mechanism of dot formation due to high density excitation and quantum chemical computer simulation is proved. 2. Stability evaluation of atomic concentration change and phase composition under radiation irradiation: confirmation of concentration change under neutral conditions of electric field and charged particle irradiation. The electrical properties of the particles are determined by the impurities in the particles. 3. Explanation of irradiation damage mechanism of black lead and evaluation of irradiation damage of black lead: observation of electric field in the process of crystallization, twinning, amorphization and recrystallization of black lead under electron irradiation. The amount of amorphous material required is 1 dpa or 5×10^<-3>dpa. The results of the atomic theory are presented in this paper. In addition, electrical conductivity, thermal conductivity, accumulation, and lifetime measurement, moderate sub-irradiation, and radiation damage evaluation using black lead 4. Evaluation of SiC heavy irradiation damage: SiC of three kinds with different preparation methods is irradiated at temperatures of 500 ~ 800K and up to 1×10^<27>n/m^2. After irradiation and after irradiation during the firing process, such as the amount of carbon, hardness, carbon emission, and microstructure inspection, the use of nuclear fusion furnace conditions, the preparation method, and the selection of sintering aids.