Duktiles Planschleifen einkristalliner Siliziumsubstratscheiben

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Für die effektive Fertigung von Siliciumsubstraten der Mikrosystemtechnik ist die beim Planschleifen entstehende Kristallstörschicht von besonderer Bedeutung. Sie verursacht eine aufwendige Nachbearbeitung und erheblichen Materialverlust Signifikante Verbesserungen der Fertigung von Siliciumsubstraten durch die Reduzierung der Störtiefe werden erreicht, wenn der technologische Ansatz des duktilen Planschleifens verwirklicht wird. Aufbauend auf den im ersten Projektzeitraum erarbeiteten Ergebnissen für eine konventionelle Prozeßführung werden in der Folgezeit Verfahrensmodifikationen wie das In-Prozeß-Schärfen und Hochgeschwindigkeitschleifen zunächst isoliert betrachtet und anschließend in einer Technologie zum duktilen Planschleifen zusammengeführt. Auf der Basis der Festlegung der Grenzwerte und -bedingungen der Prozeßeingangsparameter und der Art und Weise der Prozeßführung zur Gewährleistung dieser Grenzbedingungen wird ein leistungsfähiger Silicium-Schleiprozeß zur reproduzierbaren Erzeugung duktiler Oberflächenentstehung mit minimaler Kristallschädigung definiert.