Duktiles Planschleifen einkristalliner Siliziumsubstratscheiben

单晶硅衬底盘的延展性表面磨削

• 批准号: 5227684
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Eckart Uhlmann
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Werkzeugmaschinen und Fertigungstechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1995-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5227684?language=en
• 关键词: Duktiles; Planschleifen; einkristalliner; Siliziumsubstratscheiben

Für die effektive Fertigung von Siliciumsubstraten der Mikrosystemtechnik ist die beim Planschleifen entstehende Kristallstörschicht von besonderer Bedeutung. Sie verursacht eine aufwendige Nachbearbeitung und erheblichen Materialverlust Signifikante Verbesserungen der Fertigung von Siliciumsubstraten durch die Reduzierung der Störtiefe werden erreicht, wenn der technologische Ansatz des duktilen Planschleifens verwirklicht wird. Aufbauend auf den im ersten Projektzeitraum erarbeiteten Ergebnissen für eine konventionelle Prozeßführung werden in der Folgezeit Verfahrensmodifikationen wie das In-Prozeß-Schärfen und Hochgeschwindigkeitschleifen zunächst isoliert betrachtet und anschließend in einer Technologie zum duktilen Planschleifen zusammengeführt. Auf der Basis der Festlegung der Grenzwerte und -bedingungen der Prozeßeingangsparameter und der Art und Weise der Prozeßführung zur Gewährleistung dieser Grenzbedingungen wird ein leistungsfähiger Silicium-Schleiprozeß zur reproduzierbaren Erzeugung duktiler Oberflächenentstehung mit minimaler Kristallschädigung definiert.

这是一种高效的工业生产技术，是一种新的生产技术。从技术上来说，我们的技术是正确的，因为他们的材料和技术都是错误的。Aufbauend auf den im ersten Projektzeitraum erarbeiteten Ergebnissen für eine konvenonelle prozeçführung in der Folgezeit VerfahrensModififiationen Wie das in-prozeç-Schärfen und Hochgeswindigkeitschleifen zunächst isoliert betrachtet and anschlie？end in einer Technologie zum duktilen Planschleifen zusammengefüHRT.根据Festlegung der Grizwerte und-bedingungen der prozeçeingangs参数and der Weise der prozeúführung zur Gewähleistung dieser grezbedingungen wird ein leistungsfäHigh er silicium-Schleiprozeüzur reproduzierbaren Erzeugung duktiler OberflächenhentstedMIT Minimaler Kristallschädiung定义。