反跳インプランテーションによる化合物合成の機構の研究

反冲注入合成化合物机理研究

• 批准号: 63540471
• 负责人: 関根 勉
• 金额: $ 1.02万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1988 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63540471/
• 关键词: 反跳インプランテーション; アセチルアセトン錯体; 薄膜

核反応反跳インプランテーション法による化合物合成の反応機構につい て、その反跳エネルギー依存性について検討を行った。原理的には、反跳原子を生じ させる反跳源を0.01〜0.1μmの薄膜状とし、その厚みを種々に変化させるこ とにより、飛び出してくる反跳原子の運動エネルギー分布をコントロールすることに よって行われる。非常に薄い膜から放出される反跳原子の運動エネルギーは、その厚 みが増加するにつれて、反跳源内での衝突によるエネルギー損失が増すため、低エネ ルギー側に移動する。すなわち、本薄膜法では、初期核反応反跳エネルギーから、充 分厚みの大きくなった時に得られる反跳エネルギー分布までがコントロール可能であ るという特色をもっている。これは、反跳原子が反跳源薄膜から飛び出す割合 (反跳 収率) を実験的に求め、理論的に予想されるそれと比較することにより評価可能であ る。この実験を、50Cr (n,γ) 51Cr反応、52Cr (γ,n) 51Cr反 応、51V (p,n) 51Cr反応に対して行い、数百eVから数百keVまでの広 い範囲について反跳原子のエネルギー分布を変化させることが可能であることがわか った。この様子は、種々膜厚における反跳収率の変化や、飛び出す反跳原子の絶対量 変化にも系統的に現れ本薄膜法の妥当性が確認された。さらに、本法をトリス (アセ チルアセトナト) 鉄 (III) 捕集錯体に適用し、その中心金属を51Cr反跳原子 が置換する際の反跳エネルギー依存性を調べた。その結果、数百eVの打ちこみエネ ルギーでは、中心金属置換収率が8〜9%程度であったのに対し、20〜30keV の範囲ではその収率は約2倍になり、さらにエネルギー増加に対してゆるやかに収率 が増加していくという興味がある結果が得られた。

The reaction mechanism for the synthesis of compounds by the reaction mechanism method and the reaction mechanism dependence of the reaction mechanism are discussed. The principle of the anti-jump atom generation is that the anti-jump source is 0.01 ~ 0.1μm thin film, and the thickness of the anti-jump atom is 0.01 ~ 0.1 μ m. Very thin film release due to bounce atom motion, thickness increase, bounce source conflict, loss increase, low bounce side movement This thin film method can be used to detect the initial nuclear rebound, and to detect the rebound when the thickness of the film is sufficiently large. This is a theoretical comparison of the possible results of the study of anti-jump atoms and anti-jump sources. 50Cr (n,γ) 51Cr anti-reflection, 52Cr (γ,n) 51Cr anti-reflection, 51V (p,n) 51Cr anti-reflection, hundreds of eV, hundreds of keV, etc. The suitability of this thin film method is confirmed by the change in the bounce rate of the seed film and the change in the bounce rate of the seed film. In addition, this method is suitable for iron (III) trap, and the center metal 51Cr anti-jump atom is replaced by anti-jump atom. As a result, the rate of exchange of the center metal is about 8 ~ 9%, and the rate of exchange of the center metal is about 2 times that of the center metal.

项目成果

宮川篤: Radiochemica Acta.

宫川敦：放射化学学报。

関根勉: Radioch imica Acta.

Tsutomu Sekine：Radioch imica Acta。