THz-generation in nipnip-superlattices by photomixing at 1.55 µm pump wavelength

在 1.55 µm 泵浦波长下通过光混合在 nipnip 超晶格中产生太赫兹

• 批准号: 52302503
• 负责人: Dr. Stefan Malzer
• 金额: --
• 依托单位: Department Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/52302503?language=en
• 关键词: THz; generation; nipnip; superlattices; photomixing

Die Arbeiten der letzten 3-4 Jahre an n-i-pn-i-p Photomischern haben eine eindrucksvolle Leistungssteigerung dieser Emittertypen ergeben. Angefangen bei wenigen nW wurden inzwischen 0.65 μW bei der Frequenz von 1 THz im Materialsystem In- (Al)GaAs/InP erreicht. Zwei Mechanismen, denen bislang zu wenig Beachtung geschenkt wurde, begrenzen derzeit eine weitere Steigerung, die theoretisch 2 Größenordnungen betragen sollte. Die Herausforderungen liegen zum einen in der Verbesserung der Wärmeableitung und zum anderen an der Unterdrückung der parasitären Impedanz. Die Verwendung von Telekom-Lasern mit Er-dotierten Faserverstärkern hat sehr zur Miniaturisierung der Aufbauten beigetragen. So konnten THz-emitter in Kugelschreibergröße (mit Faseranschluß) bereits bei uns realisiert werden. Limitierend wird letztlich die Wärmeentwicklung bei den extrem kleinen Photomischerstrukturen (~25 μm2) immer bleiben. Eine absolute Steigerung der emittierten Leistung (und auch der Effizienz) zeichnet sich mit großflächigen, Antennen-freien Emitterstrukturen ab. Solange der Durchmesser des optischen Anregungsspots in der Größenordnung der THz-Wellenlänge bleibt, erhält man im Fernfeld eine konstruktive Superposition aus einzelnen strahlenden Quasi-Dipolen. Je nach Verhältnis der Spotgröße zur THz-Wellenlänge ist die emittierte Strahlung entsprechend stark gerichtet und in geeigneter Geometrie kann auf zusätzliche Kollimierungsoptik verzichtet werden. Unter CW Bedingungen gibt es bislang keine Untersuchungen an solchen Strukturen, die für effiziente THz-Erzeugung bis in den mW-Bereich aber sehr attraktiv wären. Schließlich wollen wir einen neuen Ansatz zur kohärenten Detektion bei Raumtemperatur verfolgen, der auch auf semimetallischen ErAs-Schichten in hochdotierten pn-Übergängen basiert.

3-4年的工作和n-i-pn-i-p照相机都有一个发光类型的印刷品。在In-（Al）GaAs/InP材料系统中，在1 THz频率下，获得了0.65 μW的平均功率。两名机械师，在海滩上工作时，开始了另一个阶段的工作，理论上的第二个阶段没有背叛。Die Herausforderungen liegen zum einen in der Verbesserung der Wärmeableitung und zum anderen an der Unterdrückung der parasitären Impedanz. Die Verwendung von Telekom-Lasern mit Er-dotierten Faserverstärkern hat sehr zur Miniaturisierung der Aufbauten beigetragen.因此，Kugelschreibergröße（mit Faseranschluße）中的太赫兹发射器将成为我们的韦尔登。极限将允许Wärmeentwicklung bei den extreme kleinen Photomischerstrukturen（~25 μm2）immer bleiben。Eine absolute Steigerung der emittierten Leistung（und auch der Effizienz）zeichnet sich mit großflächigen，alumnen-freien Emitterstrukturen ab.在太赫兹波段的光散射中，光散射点的光散射可以通过一个强的准偶极子的结构叠加来实现。Je nach Verhältnis der Spotgröße zur THz-Wellenlänge ist die emittierte Strahlung entsprechend stark gerichtet and in geegneter Geometrie kann auf zusätzliche Kollimierungsoptik verzichtet韦尔登。在CW Bedingungen下，没有任何结构上的缺陷，因此在微波Bereich中有效的THZ-Erzeugung是非常有吸引力的。Schließlich wollen wir einen neuen Anchor zur kohärenten Detektion bei Raumtemperatur verfolgen，der auch auf semimetallischen ErAs-Schichten in hochdotierten pn-Übergängen basert.