半導体表面清浄化と低温成膜における初期過程の解明
阐明半导体表面清洁和低温成膜的初始过程
基本信息
- 批准号:01750264
- 负责人:
- 金额:$ 0.51万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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齋藤 洋司
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- 发表时间:
2006 - 期刊:
- 影响因子:0
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齋藤 洋司
齋藤 洋司的其他文献
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