半導体表面清浄化と低温成膜における初期過程の解明
半導体表面清浄化と低温成膜における初期過程の解明
阐明半导体表面清洁和低温成膜的初始过程
批准号：
01750264
负责人：
齋藤 洋司
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
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励起窒素酸素によるシリコン絶縁膜形成プロセスの研究
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批准号：07750369
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.7万
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财政年份：1995
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负责人：齋藤 洋司
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依托单位：
半導体プラズマレスエッチングにおける表面過程の解明
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批准号：02750214
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1990
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负责人：齋藤 洋司
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依托单位：
真空紫外光を用いた半導体表面清浄化過程のその場観察による解明
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批准号：63750288
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1988
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负责人：齋藤 洋司
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依托单位：