シリコン基板上に成長した低転位ガリウム砒素結晶に関する研究
シリコン基板上に成長した低転位ガリウム砒素結晶に関する研究
批准号:
02750212
负责人:
曽我 哲夫
金额:
$0.58万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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会议论文
ナノ構造のカーポン素材を用いた新型太陽電池の研究
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批准号:05F05351
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2005
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
シリコン基板上へ微結晶ダイヤモンド薄膜の結晶成長に関する研究
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批准号:01F00046
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2001
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
凹凸面上に形成した半導体ヘテロ接合太陽電池に関する研究
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批准号:09750354
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
燐化ガリウムを中間層に用いたシリコン基板上への窒化ガリウム結晶成長に関する研究
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批准号:08750363
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
プラズマ励起窒素を用いたシリコン基板上高品質窒化ガリウム結晶成長に関する研究
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批准号:07750353
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
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批准号:05211212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1993
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
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批准号:04227218
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
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批准号:03243220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1991
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位:
シリコン基板上への高品質ガリウム砒素結晶成長に関する研究
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批准号:63750287
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:曽我 哲夫
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依托单位: