ナノ構造のカーポン素材を用いた新型太陽電池の研究
ナノ構造のカーポン素材を用いた新型太陽電池の研究
批准号:
05F05351
负责人:
曽我 哲夫
金额:
$1.54万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007
中文摘要
現在の太陽電池はほとんどがシリコンを基盤としているが、太陽電池の低コスト化のためには別の材料が望まれる。本研究はナノ構造のカーボンを用いた太陽電池についての研究である。C_<60>は太陽電池用素材として着目されているが、電気抵抗が高いという問題がある。そこで、窒素をドープしたC_<60>薄膜の製膜を行い、太陽電池特性の評価を行なった。エキシマレーザを用いたパルスレーザ堆積法を用い、p形シリコン基板上に窒素分圧を変化させてC_<60>薄膜を製膜し、電気的特性や太陽電池特性を評価した。窒素をドープしない場合は抵抗が高く電流電圧特性の立ち上がりが悪かったが、窒素をドープすることにより電気抵抗が低減でき、太陽電池の変換効率も向上した。窒素分圧が0.3mTorrの時に最も変換効率が高い太陽電池が得られた。次に基板の温度を変化させてC_<60>薄膜を作製し、C_<60>/Siヘテロ構造太陽電池を作製した。基板の温度が低いと電気抵抗が高いが、温度の増加と共に減少し、200℃の時に最高のエネルギー変換効率が得られた。さらに、カーボンナノチューブを用いた太陽電池に向けて、太陽電池用カーボンナノチューブの合成を行なった。従来のカーボンナノチューブは触媒金属を含んでおり、良好な太陽電池を作ることができない。そこで、触媒金属を全く含まないカーボンナノチューブの合成を行い、カーボンを核としてカーボンナノチューブが合成できることを明らかにした。
英文摘要
現在の太陽電池はほとんどがシリコンを基盤としているが、太陽電池の低コスト化のためには別の材料が望まれる。本研究はナノ構造のカーボンを用いた太陽電池についての研究である。C_<60>は太陽電池用素材として着目されているが、電気抵抗が高いという問題がある。そこで、窒素をドープしたC_<60>薄膜の製膜を行い、太陽電池特性の評価を行なった。エキシマレーザを用いたパルスレーザ堆積法を用い、p形シリコン基板上に窒素分圧を変化させてC_<60>薄膜を製膜し、電気的特性や太陽電池特性を評価した。窒素をドープしない場合は抵抗が高く電流電圧特性の立ち上がりが悪かったが、窒素をドープすることにより電気抵抗が低減でき、太陽電池の変換効率も向上した。窒素分圧が0.3mTorrの時に最も変換効率が高い太陽電池が得られた。次に基板の温度を変化させてC_<60>薄膜を作製し、C_<60>/Siヘテロ構造太陽電池を作製した。基板の温度が低いと電気抵抗が高いが、温度の増加と共に減少し、200℃の時に最高のエネルギー変換効率が得られた。さらに、カーボンナノチューブを用いた太陽電池に向けて、太陽電池用カーボンナノチューブの合成を行なった。従来のカーボンナノチューブは触媒金属を含んでおり、良好な太陽電池を作ることができない。そこで、触媒金属を全く含まないカーボンナノチューブの合成を行い、カーボンを核としてカーボンナノチューブが合成できることを明らかにした。
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2005.12.052
发表时间:
2006-02
期刊:
Journal of Crystal Growth
影响因子:
1.8
作者:
[Mojaharul Islam;M. S. Alam;S. M. Mominuzzaman;M. Rusop;T. Soga;T. Jimbo;M. Umeno]
通讯作者:
Mojaharul Islam;M. S. Alam;S. M. Mominuzzaman;M. Rusop;T. Soga;T. Jimbo;M. Umeno
Substrate temperature effects in excimar laser deposited fullerene filmsfor photovoltaic application
光伏应用准分子激光沉积富勒烯薄膜中的基底温度效应
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Fargnoli M., Kimura F., S. M. Mominuzzaman, S.M.Mominuzzaman, S.M.Mominuzzaman, M.Rusop, S.M.Mominuzzaman, S.M.Mominuzzaman, M.Z.Islam, 曽我 哲夫]
通讯作者:
曽我 哲夫
Energy band parameters in phosphorus doped-carbon/p-silicon Solar cell
磷掺杂碳/p-硅太阳能电池的能带参数
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Proceedings of the IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
影响因子:
--
作者:
[Fargnoli M., Kimura F., S. M. Mominuzzaman, S.M.Mominuzzaman, S.M.Mominuzzaman, M.Rusop, S.M.Mominuzzaman]
通讯作者:
S.M.Mominuzzaman
DOI:
10.1142/s0218625x0500672x
发表时间:
2005-02
期刊:
Surface Review and Letters
影响因子:
1.1
作者:
[M. Rusop;M. Mominuzzaman;T. Soga;T. Jimbo;M. Umeno]
通讯作者:
M. Rusop;M. Mominuzzaman;T. Soga;T. Jimbo;M. Umeno
Polymeric semiconducting carbon from fullerene by pulsed laser ablation
通过脉冲激光烧蚀从富勒烯制备聚合物半导体碳
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Diamond and Related Materials (印刷中)
影响因子:
--
作者:
[Fargnoli M., Kimura F., S. M. Mominuzzaman]
通讯作者:
S. M. Mominuzzaman
共 9 条
シリコン基板上へ微結晶ダイヤモンド薄膜の結晶成長に関する研究
-
批准号:01F00046
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:2001
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
凹凸面上に形成した半導体ヘテロ接合太陽電池に関する研究
-
批准号:09750354
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:1997
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
燐化ガリウムを中間層に用いたシリコン基板上への窒化ガリウム結晶成長に関する研究
-
批准号:08750363
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1996
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
プラズマ励起窒素を用いたシリコン基板上高品質窒化ガリウム結晶成長に関する研究
-
批准号:07750353
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.7万
-
财政年份:1995
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
-
批准号:05211212
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:1993
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
-
批准号:04227218
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1992
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
シリコン基板上化合物半導体の結晶成長初期過程
-
批准号:03243220
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.98万
-
财政年份:1991
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
シリコン基板上に成長した低転位ガリウム砒素結晶に関する研究
-
批准号:02750212
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1990
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
シリコン基板上への高品質ガリウム砒素結晶成長に関する研究
-
批准号:63750287
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1988
-
负责人:曽我 哲夫
-
依托单位:
海外基金