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零ギャップ半導体を含む超格子構造の作製と強磁場を用いたその物性研究

零ギャップ半導体を含む超格子構造の作製と強磁場を用いたその物性研究
包含零间隙半导体的超晶格结构的制造及其使用强磁场的物理性质研究
批准号:
02952120
负责人:
秋永 広幸
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
关键词:

项目摘要

项目成果

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完全スピン偏極強磁性体薄膜の作製と評価及びそのスピントロニクス素子への応用