Fabrication, characterization, and optimization of Al/As heterostructures for QHE experiments

Sowohl der ganzzahlige为每一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人提供了一个德国人。实验zum qhe -效应对珠宝首饰的影响实验abgestimatzdimensions Ladungsträgersysteme hoher Qualität。Solche Ladungsträgersysteme lassen是一种最好的调制方法，可实现砷化镓/砷化镓异质结构。In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen AlAs/ gaas - heterostruckturen f<e:1> QHE-Experimente In anderen Teilprojekten des Schwerpunktes mittels MBE hergestellt werden and speziell aufdie Erfordernisse dieser Experimente angepaßt werden。Die schichstructureen and wachstparameters sollen optimiert werden, um Die erforderliche Probenqualität, insbesonere höchstmögliche Elektronenbeweglichkeiten betien temperature, zu erreichen。他的风不受约束，不受约束，不受约束，不受约束，不受约束，不受约束，不受约束，不受约束。Einen weiteren Schwerpunkt soll die Herstellung großflächiger modulationsdotierter AlAs/GaAs-Heterostrukturen auf vollen 3”-Substrate bilden, um mit groß ßen Hall-Proben die Invarianz des QHE gegen die lateralen Probenabmessungen zu berpre<e:1>。

Sowohl der ganzzahlige wie auch der fraktionale QHE sind seit ihrer Entdeckung Gegenstand intensivster Forschung, wobei aber trotz weltweiter Anstrengungen noch zahlreiche Fragen zu klären sind. Experimente zum QHE-Effekt erfordern auf das jeweilige Experiment abgestimmte zweidimensionale Ladungsträgersysteme hoher Qualität. Solche Ladungsträgersysteme lassen sich am besten in modulationsdotierten AlAs/GaAs-Heterostrukturen realisieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen AlAs/GaAs-Heterostrukturen für QHE-Experimente in anderen Teilprojekten des Schwerpunktes mittels MBE hergestellt werden und speziell auf die Erfordernisse dieser Experimente angepaßt werden. Die Schichtstrukturen und Wachstumsparameter sollen optimiert werden, um die erforderliche Probenqualität, insbesondere höchstmögliche Elektronenbeweglichkeiten bei tiefen Temperaturen, zu erreichen. Es wird insbesondere angestrebt, Proben mit niedrigen Elektronendichten herzustellen, um auch kleine Füllfaktoren ohne extrem hohe Magnetfelder erreichen zu können. Einen weiteren Schwerpunkt soll die Herstellung großflächiger modulationsdotierter AlAs/GaAs-Heterostrukturen auf vollen 3"-Substrate bilden, um mit großen Hall-Proben die Invarianz des QHE gegen die lateralen Probenabmessungen zu überprüfen.