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ワイドギャップ半導体SiCへの青色発光中心の添加と発光機構の解明

ワイドギャップ半導体SiCへの青色発光中心の添加と発光機構の解明
宽禁带半导体SiC中添加蓝色发射中心并阐明发射机制
批准号:
03750012
负责人:
木本 恒暢
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
关键词:

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学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開
  • 批准号:
    21H04563
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $27.46万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    木本 恒暢
  • 依托单位:
Materials Science and Device Physics in SiC toward Robust Electronics
  • 批准号:
    21H05003
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额:
    $122.39万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    木本 恒暢
  • 依托单位:
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究
  • 批准号:
    21246051
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $12.9万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    木本 恒暢
  • 依托单位:
ワイドギャップ半導体の結晶成長と電子物性評価
  • 批准号:
    05F05819
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    木本 恒暢
  • 依托单位: