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走査型トンネル顕微鏡による半導体表面・ヘテロ接合界面の研究

走査型トンネル顕微鏡による半導体表面・ヘテロ接合界面の研究
使用扫描隧道显微镜研究半导体表面和异质结界面
批准号:
03750207
负责人:
岡田 至崇
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
关键词:

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新規ラチェット型中間バンド太陽電池材料の創製
  • 批准号:
    23K26135
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $6.99万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    岡田 至崇
  • 依托单位:
新規ラチェット型中間バンド太陽電池材料の創製
  • 批准号:
    23H01441
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $12.06万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    岡田 至崇
  • 依托单位:
半導体ナノ構造を用いたホットキャリア太陽電池に関する研究
  • 批准号:
    14F04767
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    2014
  • 负责人:
    岡田 至崇
  • 依托单位:
ナノ構造太陽電池の研究
  • 批准号:
    11F01763
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.41万
  • 财政年份:
    2011
  • 负责人:
    岡田 至崇
  • 依托单位: