原子状水素を用いた化合物半導体材料の表面修飾ヘテロエピタキシー
原子状水素を用いた化合物半導体材料の表面修飾ヘテロエピタキシー
批准号:
07750338
负责人:
岡田 至崇
金额:
$0.7万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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会议论文
新規ラチェット型中間バンド太陽電池材料の創製
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批准号:23K26135
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$6.99万
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财政年份:2024
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
新規ラチェット型中間バンド太陽電池材料の創製
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批准号:23H01441
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.06万
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财政年份:2023
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
半導体ナノ構造を用いたホットキャリア太陽電池に関する研究
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批准号:14F04767
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
ナノ構造太陽電池の研究
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批准号:11F01763
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2011
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
半導体エピタキシャル成長初期過程の評価と制御
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批准号:05750276
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
水素終端半導体表面のエピタキシャル成長過程に関する研究
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批准号:04750236
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:岡田 至崇
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依托单位:
走査型トンネル顕微鏡による半導体表面・ヘテロ接合界面の研究
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批准号:03750207
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1991
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负责人:岡田 至崇
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依托单位: