Messung elektronischer Lebensdauern an Adsorbaten auf Metalloberflächen mit Rastertunnelmikroskopie

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Mit einem Rastertunnelmikroskop (RTM) zum Betrieb bei tiefer Temperatur (T = 4.6 K) im Ultrahochvakuum werden induzierte Elektronentransferprozesse in Adsorbaten auf Metalloberflächen untersucht. Mit der Spitze des RTM als Quelle von Elektronen (oder Löchern) werden lokal elektronisch angeregte Zustände in Adsorbat und Substrat präpariert und gemessen. Aus der Breite tunnelspektroskopischer Strukturen und der Zerfallslänge von Streuwellenmustern werden Lebensdauern bestimmt. Tunneln in antibindenden Resonanzen wird verwendet, um Mobilität oder chemische Veränderungen von Adsorbaten auszulösen und zu messen. Die Messungen erfolgen an einzelnen Alkali-Adatomen (Zusammenarbeit mit M. Aeschlimann), einfachen Molekülen, daraus mit Atommanipulation erzeugten Gebilden (z.B. Dimeren) und Adsorbaten auf Oxidmonolagen.