レーザー誘起原子放出によるシリコン表面欠陥の制御
レーザー誘起原子放出によるシリコン表面欠陥の制御
激光诱导原子发射控制硅表面缺陷
批准号：
04750010
负责人：
金崎 順一
金额：
$0.51万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
レーザー光による表面原子操作
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批准号：11222202
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
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资助金额：$38.4万
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财政年份：1999
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负责人：金崎 順一
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依托单位：
半導体表面における光化学エッチングの初期過程の研究
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批准号：05750025
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1993
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负责人：金崎 順一
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依托单位：