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超高濃度カーボンドープGaAs/InGaAs超格子の研究

超高濃度カーボンドープGaAs/InGaAs超格子の研究
超高碳掺杂GaAs/InGaAs超晶格研究
批准号：
04750242
负责人：
徳光 永輔
金额：
$0.7万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04750242/
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強誘電体ゲートを用いた大電流透明薄膜トランジスタの研究
  • 批准号：
    17656105
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.73万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    徳光 永輔
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
強誘電体を用いた不揮発性多値・アナログメモリの研究
  • 批准号：
    16656092
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    徳光 永輔
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
強誘電体・高誘電率材料・導電性酸化物を用いた新しい集積機能デバイスの研究
  • 批准号：
    14040208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.88万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    徳光 永輔
  • 依托单位：
    Tohoku University
強誘電体を用いた金属・導電体中の電荷制御とスイッチング素子への応用
  • 批准号：
    14655117
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    徳光 永輔
  • 依托单位：
    Tohoku University