シリコン基板上への不整合界面を制御した誘電体のヘテロエピタキシャル成長
シリコン基板上への不整合界面を制御した誘電体のヘテロエピタキシャル成長
硅衬底上具有受控失配界面的电介质的异质外延生长
批准号：
04750246
负责人：
堀田 将
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
チャネリングイオンを用いた非晶質表面上への二次元人工結晶格子の作製
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批准号：09875005
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1997
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负责人：堀田 将
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依托单位：