グラニシングアングルエピタキシー法による微細加工基板上のIII-V族半導体薄膜成長
グラニシングアングルエピタキシー法による微細加工基板上のIII-V族半導体薄膜成長
使用抛光角外延在微加工基板上生长 III-V 族半导体薄膜
批准号：
04750253
负责人：
下村 哲
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
楕円型偏微分方程式に対するポテンシャル論的研究
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批准号：21K03295
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2021
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负责人：下村 哲
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依托单位：
Study on polarization stabilization of long wavelength GaAsBi surface emitting laser utilizing anisotropic gain
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批准号：19K04514
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2019
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负责人：下村 哲
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依托单位：
グランシングアングル分子線エピタキシー法による成長,及び評価
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批准号：02855070
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1990
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负责人：下村 哲
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依托单位：