複合反射鏡を用いた面発光レーザに関する研究
采用复合反射镜的面发射激光器研究
基本信息
- 批准号:05750309
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1993
- 资助国家:日本
- 起止时间:1993 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、半導体多層膜と誘電体多層膜の2つの反射鏡の長所を持った複合反射鏡の研究を行った。そこで、複合反射鏡を持つ面発光レーザを実現するために、複合反射鏡の反射率の理論検討と実際にMOCVD装置と電子ビーム蒸着装置により高反射率の反射鏡の製作と反射率測定系によりその評価を行った。理論検討を行った結果には、AlAs/Ga_<0.9>Al_<0.1>As半導体多層膜反射鏡とSiO_2/TiO_2誘電体多層膜反射鏡を用い、レーザの発振波長(lambda=0.88mum)に反射率のピークがくるよう設計を行った。誘電体多層膜反射鏡のみのピーク反射率は、99.8%で、複合反射鏡のピーク反射率は、99.9%である。この二つの反射率の差は、あまり無いようだが、レーザの特性であるしきい値電流に置き換えると4%の違いにあたる。また、実際にMOCVD装置によるAlAs/Ga_<0.9>Al_<0.1>As半導体多層膜反射鏡を製作し、理論通りのピーク反射率99%が得られた。そして、光学モニター法により制御する電子ビーム蒸着装置によるSiO_2/TiO_2誘電体多層膜反射鏡の製作を行い、ピーク反射率99%が得られた。この二つの反射鏡を用いた複合反射鏡を持つ面発光レーザを製作したところ、以前の面発光レーザよりしきい値の低減が得られた。これにより複合反射鏡の有効性が示されたと考える。しかし、誘電体には電流が流れず、p形半導体多層膜反射鏡の抵抗が高いので、今後レーザ構造などを検討する必要がある。
In this study, we carried out the study of complex reflection in the study of the growth of the two-stage reflection spectrum of the multistage and semi-bulk multifilm electronics. The reflectance measurement system is used to measure the reflectivity. The reflectivity of the MOCVD device is very high. The theoretical analysis results show that the AlAs/Ga_<0.9>Al_<0.1>As half-body multi-film reflection device, the Sio _ 2/TiO_2 electronic multi-film reflection device, the infrared vibration wave length (lambda=0.88mum), the reflectivity spectrum, the reflectivity, the reflectivity, The reflectivity of multi-film reflectivity is 99.8%, that of composite reflection is 99.9%, and that of composite reflection is 99.9%. The reflectivity is poor, the reflectivity is low, the temperature is not sensitive, and the characteristics are sensitive. The current is sensitive at 4%. The alas
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
廣田,坂口,小山,伊賀: "複合反射鏡を用いたGaAlAs/GaAs面発光レーザアレー" 1993年春季第40回応用物理学会. 29p-C-1. 1026- (1993)
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
坂口,内田,小山,伊賀: "半導体多層膜と誘電体多層膜を組み合せた面発光レーザ用複合反射鏡" 1992年電子情報通信学期秋季大会. C-158. 180- (1992)
Sakaguchi、Uchida、Koyama、Iga:“结合半导体多层膜和介电多层膜的表面发射激光器的复合反射器”1992 年秋季电子、信息和通信学期会议 C-158。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
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{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
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{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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