擬二次元伝導体における電荷密度波のダイナミックス

准二维导体中电荷密度波的动力学

• 批准号: 06740256
• 负责人: 小矢野 幹夫
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06740256/
• 关键词: 擬二次元伝導体; 電荷密度波; ダイナミックス; 高電場電気伝導; しきい電場; 電流磁気効果

本研究では、擬二次元伝導体における電荷密度波(CDW)の動的な振舞いを明らかにする事を目的として、本年度は、特に装置開発と単結晶試料育成条件の確立を行った。1.申請のGP-IBコントローラーを用いて、磁場1.5Tまでの電流磁気効果(磁気抵抗、ホール効果等)の自動測定システムを作製し、16ビット分解能で磁場制御が出来る事を確認した。2.試料に最高2,000mV/cmのパルス電場を印加する事の出来るクライオスタットを設計した。パルス回路にMOSFETを用いることにより、最高10μsのパルス電場の立上りが期待でき、さらに速いCDWの応答を捉える事が可能となる。このクライオスタットは現在製作中であり、上記自動測定システムに組み込む。3.低次元伝導体として、三硫化チタン(TiS_3)の単結晶育成条件を確立した。原料粉末を化学量論比に混合し石英アンプルに真空封入した後、申請の電気炉を用いて500℃で50時間育成した。このとき、温度差の無い場合に比べて温度差を40℃(低温側480℃、高温側520℃)付けた場合の方が、結晶成長速度が数倍上昇する事が確認出来た。この事は、アンプル内部での輸送ガスの流れが、TiS_3の結晶育成速度に重要な役割を果たしている事を示している。次年度以降はこれらの成果をもとに、パルス高電場を用いた低次元伝導体単結晶の電流磁気効果の測定を行い、擬二次元伝導体におけるCDWのダイナミックスを明らかにして行く。

This study で は, quasi two dimensional 伝 conductor に お け る charge density wave (CDW) の dynamic vibration な dance い を Ming ら か に す る matter を purpose と し て, this year's は, に device 発 と 単 crystal sample line breeding conditions の established を っ た. 1. Apply for の GP - IB コ ン ト ロ ー ラ ー を with い ま て, magnetic field of 1.5 T で の current magnetic 気 unseen fruit (magnetic 気 resistance, ホ ー ル unseen fruit, etc.) の automatically measure シ ス テ ム を cropping し, 16 ビ ッ ト can decompose で magnetic field suppression が out る を sure し た. 2. Sample に maximum 2000 mV/cm の パ ル ス electric field を Inca す の る things る ク ラ イ オ ス タ ッ ト を design し た. パ ル に MOSFET を ス circuit with い る こ と に よ り, top 10 mu s の パ ル ス electric field の stand on り が expect で き, さ ら に speed い CDW の 応 answer を catch え が る things may と な る. Youdaoplaceholder2 システムに ラ ラ スタット スタット currently in production であ であ, above record automatic measurement システムに group み込む. 3. The crystallization and incubation conditions for low-dimensional 伝 conductors と て て and trisulfide チタ <e:1> (TiS_3) <s:1> 単 are を established as た た. Raw material powder を stoichiometry theory than に mixed し quartz ア ン プ ル に し sealed vacuum after た, apply for の electric を 気 furnace use い て 500 ℃ で 50 time bred し た. こ の と き, temperature difference の no に い occasion than べ て を 40 ℃ temperature difference (low temperature 480 ℃, 520 ℃ high temperature side) pay け た occasions の party が several times, the crystal growth speed が rise す る た が sure. は こ の, ア ン プ ル internal で の conveying ガ ス の flow れ が, TiS_3 の crystallization speed cutting を に important な service bred fruit た し て い る matter を shown し て い る. Annual in は こ れ ら の results を も と に, パ ル ス を with high electric field い た low dimensional 伝 単 crystallization の current magnetic conductor 気 sharper determination of fruit の を い, quasi two dimensional 伝 conductor に お け る CDW の ダ イ ナ ミ ッ ク ス を Ming ら か に し く て line.